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J-GLOBAL ID：201602240533295463   整理番号：16A1266485

通信波長での水素化非晶質シリコン導波路におけるRaman散乱【Powered by NICT】

Raman scattering in hydrogenated amorphous silicon waveguides at telecommunication wavelengths

著者 (9件)： Tanizawa Ken (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Suda Satoshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Sakakibara Yoichi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Kamei Toshihiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Takei Ryouhei (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Kawashima Hitoshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Namiki Shu (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Mori Masahiko (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Ishikawa Hiroshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： PIERS  ページ： 1629  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶Si導波路のRaman散乱は,通信波長での自然及び誘導Raman散乱の測定から注目されている。RamanレーザとRaman増幅器のような種々の応用を研究した。一方,水素化非晶質Si(a Si:H)を用いた光導波路についても検討した。利点は三次元フォトニック回路のための低温成膜とCMOSエレクトロニクス施設を利用したhighlyreliable製造プロセスである。a-Si:Hはその期待される低い非線形吸収結晶Siと比較して大きな電子バンドギャップから生じたによる有利な非線形材料であると,a-Si:Hワイヤ導波路での大きな非線形指数は本講演では,通信波長1550nmでmm長a-Si:Hワイヤ導波路におけるRaman放射の最初の観測を導入し達成した。a-Si:Hワイヤ導波路は,2dB/cmの低い伝搬損失と100fs以下の超高速キャリア減衰時間を持っていた。1443.4nmの連続波ポンプレーザを用いて,1550.1±0.25nmのピーク波長での後方自発Raman散乱を観測した。Raman周波数シフトは477±1cm~ 1であり,この値は一般的に使用されるa-Si:H膜から得られた値と一致した。測定したRamanスペクトルからのRaman利得係数を推定し,Raman増幅の可能性を論じた。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *導波路 ,  Ramanスペクトル ,  誘導Raman散乱 ,  *波長 ,  光導波路 ,  *Raman散乱 ,  Ramanレーザ ,  *水素化 ,  バンドギャップ ,  三次元 ,  *アモルファスシリコン ,  周波数シフト ,  低温 ,  ケイ素
準シソーラス用語： a-Si:H , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 無線通信一般  (ND08010L) ,  信号理論  (ND02020G) ,  計算機網  (JC03000K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 通信波 ,  水素化 ,  非晶質シリコン ,  導波路 ,  Raman散乱