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J-GLOBAL ID:201602240549269006   整理番号:16A0517144

ヒ素被毒V2O5/TiO2触媒上のMoO3及びWO3の比較:DRIFTS及びDFT研究

Comparison of MoO3 and WO3 on arsenic poisoning V2O5/TiO2 catalyst: DRIFTS and DFT study
著者 (8件):
資料名:
巻: 181  ページ: 692-698  発行年: 2016年02月 
JST資料番号: W0375A  ISSN: 0926-3373  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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MoO3-及びWO3-ドープV2O5/TiO2触媒上でのヒ素被毒のメカニズムを研究し,MoO3の耐被毒効果を明らかにした。ある程度の量のヒ素(XPSから10%以上のヒ素)は還元が起こる表面積と活性部位の数を減少させる。DRIFTS及びDFTの結果から,ヒ素はLewis酸サイトの量とBroensted酸サイトの安定性を低下させることによって表面酸性度を低下させた。また被毒した触媒に新しく生成したAs-OH基が見出され(1440cm-1で),それは高温で活性が極めて低かった。MoO3は被毒触媒上で良好な活性を示したが,それはV2O5/TiO2上でのWO3が示す活性より優れていた。これは恐らく担体上のMoO3の分散が良いためである。DFT計算モデルから,表面W-O-W及びW=O基の反応性は対応するMo-O-Mo及びMo=O基よりはるかに低かった。これは被毒触媒の表面酸性度の低下に関する一つの説明となり得る。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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その他の触媒  ,  有害ガス処理法 

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