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J-GLOBAL ID：201602240565951569   整理番号：16A1020229

INAIGAAS/AIGAAS短波長の大パワー量子ドット超放射発光管【JST・京大機械翻訳】

High-power Short-wavelength InAIGaAs/AIGaAs Quantum-dot Superluminescent Diodes

著者 (5件)： Wang Feifei (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and Beijing Key Laboratory of Low-dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Li Xinkun (Beijing Institute of Aerospace Control Instruments) ,  Liang Dechun (Beijing Institute of Aerospace Control Instruments) ,  Jin Peng (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and Beijing Key Laboratory of Low-dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Zhanguo (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and Beijing Key Laboratory of Low-dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 37  号： 6  ページ： 706-710  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 超放射発光管を満たすの短波長の応用のために,INALGAAS/ALGAAS量子ドットを用いてある源とドライエッチングプロセスを短波長曲げ波導超放射発光管を調製した。1.6Aパルス電流注入下で,デバイスのピーク出力パワーは29であったMW,中心波長880NM,スペクトルの半値幅は20.3NMであった。超放射発光サイリスタの性能に及ぼすドライエッチングの湿式プロセスと腐食プロセスの影響をを比較した。1.6Aパルス電流注入下では,湿式腐食で調製したデバイスのピーク出力パワーは僅か7MWであった。湿式腐食と比較して,ドライエッチング,導波路の形状とパラメータを精密に制御できる,導波路損失を低減し,デバイスを効果的に出力を増大する。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 腐食 ,  *超放射 ,  導波路 ,  *波長 ,  ドライエッチング ,  スペクトル ,  パルス ,  半値幅 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： 電流注入 ,  *短波長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： superluminescent diodes ,  self-assembled quantum dot ,  dry etching

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 短波 ,  パワー ,  量子ドット ,  超放射 ,  発光管