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J-GLOBAL ID：201602240870825823   整理番号：16A1258529

炭素源としてC_2H_2を用いた窒化ガリウム上のグラフェンの直接成長【Powered by NICT】

Direct growth of graphene on gallium nitride using C_2H_2 as carbon source

著者 (9件)： Wang Bing (Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Yun (Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Yi Xiaoyan (Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Guohong (Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Zhiqiang (Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Duan Ruirei (Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Huang Peng (Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Junxi (Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Jinmin (Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Wulixue Qianyan  (Wulixue Qianyan)
巻： 11  号： 2  ページ： 116803-1-116803-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2648A  ISSN： 2095-0462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 900°C以上の温度での窒化ガリウム(GaN)上に成長するグラフェンは,GaNエピ層の高品質を得るために克服しなければならない課題である。炭素源としてC_2H_2を用いて,この課題を満たした。グラフェンを銅上に直接GaNエピ層に成長させることができることを示した。Ramanスペクトルは,グラフェン膜は約4 5層厚であることを示した。一方,グラフェン膜の成長に及ぼす成長温度の効果を系統的に研究し,830°Cが最適な成長温度であることが分かった。窒化ガリウム上に直接高品質グラフェン膜を成長させることに成功した。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  *グラフェン ,  層厚 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 成長温度 ,  高品質 ,  エピタキシャル層 ,  *炭素源 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェン ,  C_2H_2 ,  窒化ガリウム ,  化学蒸着 ,  Raman分光法

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭素源 ,  窒化ガリウム ,  グラフェン ,  成長