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J-GLOBAL ID：201602241029713044   整理番号：16A0600933

簡単な自己修飾法によるYBCO膜の増強された磁束ピン止め【Powered by NICT】

Enhanced Flux Pinning of YBCO Films by a Simple Self-Decoration Method

著者 (6件)： Yue J. S. (School of Chemistry and Chemical Engineering, Xianyang Normal University, Xianyang, China) ,  Chen Y. Q. (School of Materials Science and Technology, Xi’an University of Technology, Xi’an, China) ,  Bian W. B. (School of Materials Science and Technology, Xi’an University of Technology, Xi’an, China) ,  Yin X. R. (School of Materials Science and Technology, Xi’an University of Technology, Xi’an, China) ,  Tang X. N. (School of Materials Science and Technology, Xi’an University of Technology, Xi’an, China) ,  Li Z. (School of Chemistry and Chemical Engineering, Xianyang Normal University, Xianyang, China)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 26  号： 6  ページ： ROMBUNNO.8001805.1-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低concentrationYBa_2Cu_3O_7x(YBCO)前駆体溶液(金属イオン濃度0.05~0.45mol/L)を調製した。低濃度前駆体溶液の堆積は,LaAlO_3(LAO)基板上のYBCOナノドットが形成された。後,高濃度YBCO前駆体溶液(金属イオン濃度1.5mol/L)はナノドットで修飾されたLAO基板上に堆積した連続YBCO膜を形成した。結果は,YBCOナノドットの形態は溶液濃度と密接な関係を持つことを示した。純粋なYBCO膜と比較して,自己修飾されたYBCO薄膜は強い磁束ピン止め力とより高い臨界電流磁場densityJ_cunderを有していた。前駆体溶液濃度の最適化により,得られた,7.1MA/cm~2(77K,0T)のaJ_cvalueと7.2GN/m~3の高いピン止め力であった高速自己修飾されたYBCO膜。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ピン止め ,  *イットリウムバリウム銅酸化物 ,  臨界電流密度 ,  金属イオン ,  *YBCO薄膜 ,  最適化 ,  *磁束ピン止め ,  磁場 ,  前駆体
準シソーラス用語： 高性能化 ,  高濃度 ,  ナノドット ,  低濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自己 ,  修飾 ,  YBCO膜 ,  増強 ,  磁束ピン止め