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J-GLOBAL ID：201602241074704406   整理番号：16A0977950

nとpFinFETsにおける不安定性の原因となる欠陥バンドの完全抽出【Powered by NICT】

Complete extraction of defect bands responsible for instabilities in n and pFinFETs

著者 (8件)： Rzepa G. (TU Wien, Vienna, Austria) ,  Waltl M. (TU Wien, Vienna, Austria) ,  Goes W. (TU Wien, Vienna, Austria) ,  Kaczer B. (IMEC, Leuven, Belgium) ,  Franco J. (IMEC, Leuven, Belgium) ,  Chiarella T. (IMEC, Leuven, Belgium) ,  Horiguchi N. (IMEC, Leuven, Belgium) ,  Grasser T. (TU Wien, Vienna, Austria)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： VLSI Technology  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バイアス温度不安定性(BTI)は,高k技術の重大な信頼性問題であり,n及びpMOSFETの両方における正および負のストレス電圧で生じる。nMOSFETにおけるpMOSにおける負のBTI(NBTI)および正のBTI(PBTI),最強の分解は典型的に研究し,別々にモデル化され,これは原因となる欠陥の分布に関するかなりの不一致をもたらした。ここでは,単一モデル内のn/p型MOSFETにおけるBTIの全四組合せをうまく記述する最初の研究を提示した。HfO_2とSiO_2中の欠陥の物理的性質を測定することにより達成された。抽出法を用いて,欠陥バンドの位置に関するいかなる曖昧さが除去され,使用条件に分解データの正確な物理学に基づく外挿を可能にする完全にである。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 曖昧さ ,  信頼性 ,  外挿法 ,  *不安定性 ,  電圧 ,  モデリング
準シソーラス用語： 正バイアス温度不安定性 ,  NBTI ,  nMOSFET ,  pMOSFET ,  バイアス温度不安定性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (9件)： 信号理論  (ND02020G) ,  構造動力学  (HD02000E) ,  織布  (YM05040J) ,  人工知能  (JE08000Z) ,  雑音理論  (ND04020U) ,  計算機網  (JC03000K) ,  品質検査  (KB04020L) ,  建築音響  (BB03080J) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不安定性 ,  原因 ,  欠陥 ,  バンド