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J-GLOBAL ID：201602241169834882   整理番号：16A1091996

酸化還元化学を利用したポリアニリン構造の操作: ヒドラジノベンゼンの電気化学的検出のための新しいp-NiO/n-ポリアニリン/n-Siショットキーダイオード系の化学センサ

Manipulating the structure of polyaniline by exploiting redox chemistry: Novel p-NiO/n-polyaniline/n-Si Schottky diode based chemosensor for the electrochemical detection of hydrazinobenzene

著者 (3件)： Ameen Sadia (Energy Materials & Surface Science Laboratory, Solar Energy Research Center, School of Chemical Engineering, Chonbuk National University, Jeonju, 54896, Republic of Korea) ,  Akhtar M. Shaheer (New & Renewable Energy Material Development Center (NewREC), Chonbuk National University, Jeonbuk, Republic of Korea) ,  Shin Hyung Shik (Energy Materials & Surface Science Laboratory, Solar Energy Research Center, School of Chemical Engineering, Chonbuk National University, Jeonju, 54896, Republic of Korea)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 215  ページ： 200-211  発行年： 2016年10月10日 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヒドラジノベンゼン化学物質の検出のために,p-酸化ニッケル(NiO)/n-導電性ポリアニリン(PANI)系のショットキー障壁ダイオードを使用して新規かつ有効な化学センサを調製した。n-PANIを,ドーパントとして水素化カルシウムを使用することによってPANI EBのin-situでの化学的ドーピングによって合成し,元素分析,光学的,構造的,および形態学的特性に供した。Ptとp-NiO/n-PANI層の界面における非線形I-V挙動の出現により,調製したPt/p-NiO/n-PANI/n-Siショットキー障壁ダイオードのショットキー接合の形成を確認した。ヒドラジノベンゼンの検出に対するPt/p-NiO/n-PANI/n-Siショットキー障壁ダイオードの電気化学的特性を,CV法により明らかにした。そのセンシング結果から,Pt/p-NiO/n-PANI/n-Siショットキー障壁ダイオードは,安定した信頼性の高い高感度~90.5μAmM^-1cm^-2,約0.99417の相関係数(R)を有する良好な検出限界5.11μM,および短い応答時間は(10秒)を示した。この論文では,PANIのn型化学ドーピングとショットキー障壁の形成が,感度,検出限界,および相関係数などの検出パラメータを引き出した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 酸化還元反応 ,  *ポリアニリン ,  *分子構造 ,  *化学的性質 ,  多窒素化合物 ,  芳香族化合物 ,  検出 ,  電気化学反応 ,  酸化ニッケル ,  電気化学センサ ,  半導体金属接合 ,  ケイ素 ,  熱電子放出 ,  化学物質 ,  導電性 ,  ドーパント ,  カルシウム化合物 ,  水素化物 ,  ドーピング ,  化学合成 ,  元素分析 ,  光学的性質 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  結晶構造 ,  非線形性 ,  Schottky障壁ダイオード ,  定量限界 ,  測定精度 ,  検出限界 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  検量線 ,  高感度 ,  相関係数 ,  応答時間 ,  *化学構造 ,  Schottky接合 ,  Schottky効果 ,  水素化カルシウム ,  表面形態 ,  非線形 ,  電気化学的特性 ,  フェニルヒドラジン類 ,  電気化学検出 ,  構造
準シソーラス用語： ヒドラジノベンゼン類 ,  電気化学的検出 ,  光学特性

著者キーワード (6件)： Polyaniline ,  NiO ,  Schottky barrier diode ,  Chemical sensor ,  Hydrazinobenzene ,  I-V characteristics

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  有機化合物の電気分析  (CC05034O) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： 酸化還元 ,  化学 ,  ポリアニリン ,  電気化学的検出 ,  NiO ,  Si ,  ショットキーダイオード ,  化学センサ