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J-GLOBAL ID：201602241181566373   整理番号：16A0070553

Ag/La-(0.67)Ca(0.33)MnO_3/P~+Siサンドイッチデバイスの抵抗スイッチング特性に関する研究【Powered by NICT】

Study on the Resistance Switching Properties of Ag / La_(0.67) Ca_(0.33) MnO_3 / p + -Si Sandwich Devices

著者 (6件)： Wei Changcheng (School of Material Sci. and Engineering,Guilin Univ. of Electronic Technol., Guilin) ,  Wang Hua (School of Material Sci. and Engineering,Guilin Univ. of Electronic Technol., Guilin) ,  Xu Jiwen (School of Material Sci. and Engineering,Guilin Univ. of Electronic Technol., Guilin) ,  Zhang Xiaowen (School of Material Sci. and Engineering,Guilin Univ. of Electronic Technol., Guilin) ,  Yang Ling (School of Material Sci. and Engineering,Guilin Univ. of Electronic Technol., Guilin) ,  Chen Qisong (School of Material Sci. and Engineering,Guilin Univ. of Electronic Technol., Guilin)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 44  号： 3  ページ： 649-654  発行年： 2015年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： La-(0.67)Ca(0.33)MnO_3薄膜をゾル-ゲル法によってp~/p+-Si基板上に作製した。Ag/La-(0.67)Ca(0.33)MnO_3/p~/n+-Siサンドイッチ素子を作製し,Ag/La-(0.67)Ca(0.33)MnO_3/p~/n+-Si素子の抵抗スイッチング特性を研究した。結果はAg/La-(0.67)Ca(0.33)MnO_3/p~/n+-Si素子は明瞭な両極性抵抗スイッチング特性を有することを示し,高抵抗状態(HRS)と低抵抗状態(LRS)の間の比率である10~4より大きかった。HRSとLRSの支配的な伝導機構は,Schottky障壁伝導機構および空間電荷制限伝導(SCLC)であった。2×10~3可逆スイッチングサイクルの下で,HRSのLRSに対する比はほとんど変化せず,優れた耐久特性が観察される。La-(0.67)Ca(0.33)MnO_3素子のHRSとLRSのインピーダンススペクトロスコピスは抵抗スイッチング挙動はSchottky障壁の変化とデバイス中の充満トラップに起因することを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  薄膜 ,  ゾル-ゲル法 ,  *ケイ素 ,  *ランタン
準シソーラス用語： *スイッチング特性 ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ag ,  La ,  Ca ,  サンドイッチ ,  スイッチング特性 ,  研究