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J-GLOBAL ID：201602241185666748   整理番号：16A1236265

窒化ケイ素薄膜の構造と発光特性に及ぼす窒素流量の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Influence of Nitrogen Flow Rate on the Structure and Luminescence Properties of Silicon-Rich Silicon Nitride Film Materials in a High Hydrogen Atmosphere

著者 (6件)： Zhang Linrui (College of Physics and Electron Information of Inner Mongolia Normal University, Key Lab of Physics and Chemistry for Functional Material) ,  Zhou Bingqing (College of Physics and Electron Information of Inner Mongolia Normal University, Key Lab of Physics and Chemistry for Functional Material) ,  Zhang Na (College of Physics and Electron Information of Inner Mongolia Normal University, Key Lab of Physics and Chemistry for Functional Material) ,  Lu Xiaocui (College of Physics and Electron Information of Inner Mongolia Normal University, Key Lab of Physics and Chemistry for Functional Material) ,  Wuren Tuya (College of Physics and Electron Information of Inner Mongolia Normal University, Key Lab of Physics and Chemistry for Functional Material) ,  Gao Aiming (College of Physics and Electron Information of Inner Mongolia Normal University, Key Lab of Physics and Chemistry for Functional Material)
資料名： Guangpuxue yu Guangpu Fenxi  (Guangpuxue yu Guangpu Fenxi)
巻： 36  号： 7  ページ： 2048-2054  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2093A  ISSN： 1000-0593  CODEN： GYGFED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： プラズマ強化化学蒸着法を用いて,N_2Can入とSIH_4とH_2の堆積法により,ガラスとN型単結晶シリコン(100)基板上に硅Dan化硅薄膜を作製した。紫外-可視吸収スペクトル,FOURIER変換赤外吸収スペクトル(FTIR),RAMANスペクトル及び光ルミネセンススペクトル(PLスペクトル)により,CanDan硅薄膜のバンドギャップ,構造及び発光特性を特性化した。結果は以下を示す。水素の雰囲気中で、窒素の流量が増加するにつれ、水素原子は薄膜の欠陥に対して抑制作用を発揮し、しかも比較的低いSIH_4/N_2流量比では富硅態を呈するが、クラスタの形成に不利である。窒素原子のドーピングにより、SI-SI結合の含有量が増大し、バンドギャップが増大し、薄膜の鏡構造の不規則性も増大し、薄膜はシリコンと窒素欠陥に関連する欠陥が生じた。窒素原子の更なる増加に伴い,バンド発光が出現し,さらに発光と構造との関連について議論した。これらの結果は,材料の発光と構造特性を最適化するために,PECVD法を採用することにより,より効果的である。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  *ケイ素 ,  水素 ,  *薄膜 ,  プラズマCVD ,  *発光 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  バンドギャップ ,  構造特性 ,  赤外吸収スペクトル ,  *窒素 ,  キャラクタリゼーション ,  単結晶
準シソーラス用語： 窒素原子 ,  *発光特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： PECVD ,  SiNx : H film ,  Microstructure ,  Photoluminescence

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒化 ,  ケイ素薄膜 ,  発光特性 ,  窒素 ,  流量 ,  研究