抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
DRAMチップのサブアレイを横切る迅速かつエネルギー効率のよいバルクデータ移動を可能にする新しいDRAM設計を紹介した。バルクデータ移動は多くのアプリケーションやオペレーティングシステムにおける鍵となる操作であるが,現在のシステムは,狭いオフチップチャネルを横切る,DRAMプロセッサからデータを移すことによって,その後DRAMに戻り,非効率的にこの動きを行った。バルクデータ移動のためのこの狭いチャネルの使用は高いレイテンシとエネルギー消費をもたらす。以前の研究は,バルクデータ移動のための既存の広い内部DRAM帯域幅を利用することにより,これらの高コストを避けるために提案したが,DRAM内のワイヤの限られた接続性は単一DRAMサブアレイのみで高速データ移動を可能にした。各サブアレイはサイズが数メガバイトである,高速バルクデータ移動はDRAM内の起こり得る範囲を制限した。新しいDRAM基板,低コスト間結合したサブアレイ(LISA),その目標は,低コストで記憶の大きな範囲で迅速で効率的なデータ移動を可能にすることであるを提案した。LISAは隣接するサブアレイ間の低コスト接続を追加した。隣接サブアレイの既存の内部ワイヤ(ビット)を相互接続するためのこれらの関係を用いて,LISAはほとんど(0.8%だけ)DRAM面積オーバヘッドで複数のサブアレイを横切る広帯域データ転送を可能にする。DRAM基質として,LISAは多目的であり,新しい多くの応用を可能にした。そして三つのそのような応用を詳細に記述し,評価(1)高速間サブアレイバルクデータコピー,(2)列は,不均一アクセス待ち時間を持つDRAMアーキテクチャを用いたDRAMキャッシュ,および(3)多重プリチャージ単位を共に関連付けるによる加速ビット線プリチャージ。広範な評価は,LISAの三つの応用の性能と記憶エネルギー効率を著しく向上させ,それらの複合効果は,各単独の利点より高いことを示し,種々の負荷とシステム構成。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
