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J-GLOBAL ID：201602244074254800   整理番号：16A0984060

PEALD堆積ALNの構造と表面特性に及ぼす温度の影響を【JST・京大機械翻訳】

Effect of deposition temperature on the structural and surface properties of AlN by plasma enhanced atomic layer deposition

著者 (10件)： Chen Fang (School of Science, and School of Photoelectric Engineering, Changchun University of Science and Technology) ,  Fang Xuan (School of Science, and School of Photoelectric Engineering, Changchun University of Science and Technology) ,  Wang Shuangpeng (Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Niu Shouzhu (School of Science, and School of Photoelectric Engineering, Changchun University of Science and Technology) ,  Fang Fang (Nanchang University) ,  Fang Dan (School of Science, and School of Photoelectric Engineering, Changchun University of Science and Technology) ,  Tang Jilong (School of Science, and School of Photoelectric Engineering, Changchun University of Science and Technology) ,  Wang Xiaohua (School of Science, and School of Photoelectric Engineering, Changchun University of Science and Technology) ,  Liu Guojun (School of Science, and School of Photoelectric Engineering, Changchun University of Science and Technology) ,  Wei Zhipeng (School of Science, and School of Photoelectric Engineering, Changchun University of Science and Technology)
資料名： Hongwai yu Jiguang Gongcheng  (Hongwai yu Jiguang Gongcheng)
巻： 45  号： 4  ページ： 0421001-1-0421001-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2521A  ISSN： 1007-2276  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 研究等によりイオンは原子層堆積(PEALD)成長,異なる堆積温度でのALNのその特性への温度の影響を増強した。前駆体はNH_3とTMAでは,300°C、350°Cと370°Cの蒸着温度で蒸着したそれぞれ200、500、800、1,0001、500周期のALN層,そして,結晶化ALN薄膜の成長速度と表面粗さを論じた。結果は,300~370°Cの範囲内で,温度の上昇は薄膜の堆積速度と結晶化が増加するにつれて,薄膜の表面粗さが減少することを示した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 堆積速度 ,  イオン ,  結晶化 ,  薄膜 ,  前駆体 ,  成長速度 ,  *表面性状
準シソーラス用語： 蒸着温度 ,  ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Aluminum nitride ,  plasma enhanced atomic layer deposition ,  growth rate ,  crystallization ,  surface roughness ,  deposition temperature

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 堆積 ,  AlN ,  表面特性