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J-GLOBAL ID：201602245257184575   整理番号：16A1123688

GAN:GD系の磁気的性質に及ぼすGA空孔の影響に関する第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Effect of Ga vacancy on the magnetism in GaN:Gd: First-principles calculation

著者 (7件)： Hou Zhentao (School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology) ,  Li Yanru (School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology) ,  Liu Heyan (School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology) ,  Dai Xuefang (School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology) ,  Liu Guodong (School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology) ,  Liu Caichi (School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology) ,  Li Ying (School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 65  号： 12  ページ： 127102_01-127102_09  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論に基づく第一原理と射影平面波平面波の方法を用いて、GAN中のGAが希土類元素GDの置換及び隣接NあるいはGA空孔からなる欠陥複合体の格子定数、磁気モーメント、形成エネルギー及び電子構造などの性質を研究した。その結果,GDドープGANのバンドギャップは狭くなり,直接バンドギャップ半導体から間接バンドギャップ半導体へと変化することが分かった。単一GD原子のドーピングは,約7Μ_Bの磁気モーメントを導入した。GDとGAあるいはN空孔が形成した欠陥複合系において、N空孔は磁気モーメントへの寄与が小さく、約0.1Μ_B、GA空孔は約2Μ_Bの磁気モーメントを導入できる。GA空孔の増加に伴い、システムのトータル磁気モーメントは増加するが、増加量はGA空孔の位置分布と密接な関係がある。GA空孔分布が比較的スパース場合、GD単原子磁気モーメントは影響が小さいが、GA空孔距離が近く、しかもクラスターが形成される場合、GD単原子磁気モーメントは明らかに増加し、しかもこの場合、空孔形成エネルギーも最小となる。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *第一原理 ,  半導体 ,  複合欠陥 ,  密度汎関数法 ,  格子定数 ,  ドーピング ,  射影 ,  磁気モーメント ,  バンドギャップ ,  平面波 ,  複合系
準シソーラス用語： 単一原子 ,  間接バンドギャップ ,  直接バンドギャップ ,  形成エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaN ,  rear-earth doping ,  electronic structure ,  magnetism

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  Gd ,  磁気的性質 ,  Ga ,  空孔 ,  第一原理 ,  研究