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J-GLOBAL ID：201602247792140571   整理番号：16A1316384

バッファ/「基板界面における原子拡散解析に基づくSi基板上のGaNH EMTのRF漏れの物理的モデル【Powered by NICT】

Physical Model of RF Leakage in GaN HEMTs on Si Substrates Based on Atomic Diffusion Analysis at Buffer/”Substrate Interface

著者 (5件)： Yamaguchi Yutaro ,  Kamioka Jun ,  Shinjo Shintaro ,  Yamanaka Koji ,  Oishi Toshiyuki
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSICS  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上のGaNH EMTのRF漏れ現象は緩衝液で原子拡散をして解析した/「基板界面考慮,解析に基づくRF漏れの新しい物理モデルを提案した。AlまたはGa原子はエピタキシャル成長でバッファ層からSi基板にした。,高電子密度の高い正孔密度と反転層とアクセプタ層はSi基板中に形成された。その結果,RF漏れは二層から生じる低抵抗によって生じる。S22の温度依存性とSi基板の抵抗は提案した物理的モデルとTCADによってシミュレートし,その結果は測定結果と良く一致した。さらに,改善されたRF漏れとGaNH EMTを作製し,80%以上の最大ドレイン効率を実現した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： アルミニウム ,  電子密度 ,  *ガリウム ,  温度依存性 ,  エピタクシー ,  反転層 ,  バッファ層 ,  *界面 ,  アクセプタ
準シソーラス用語： TCAD ,  二層 ,  正孔密度 ,  物理モデル ,  *シリコンウエハ ,  *原子拡散 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (9件)： バッファ ,  界面 ,  原子拡散 ,  解析 ,  Si基板 ,  EMT ,  RF ,  物理 ,  モデル