t<sub>PROG</sub>=640μSと800MB/s I/O速度の14nm技術による128Gb 2b/セル NANDフラッシュメモリ

LEE Seungjae; LEE Jin-Yub; PARK Il-Han; PARK Jongyeol; YUN Sung-Won; KIM Min-Su; LEE John-Hoon; KIM Minseok; LEE Kangbin; KIM Taeeun; CHO Byungkyu; CHO Dooho; YUN Sangbum; IM Jung-No; YIM Hyejin; KANG Kyung-Hwa; JEON Suchang; JO Sungkyu; AHN Yang-Io; JOE Sung-Min; KIM Suyong; WOO Deok-Kyun; PARK Jiyoon; PARK Hyun-Wook; KIM Youngmin; PARK Jonghoon; CHOI Yongsu; HIRANO Makoto; IHM Jeong-Don; JEONG Byunghoon; LEE Seon-Kyoo; KIM Moosung; LEE Hokil; SEO Sungwhan; JEON Hongsoo; KIM Chan-Ho; KIM Hyunggon; KIM Jintae; YIM Yongsik; KIM Hoosung

文献

J-GLOBAL ID：201602247815321890 整理番号：16A0392745

t_PROG=640μSと800MB/s I/O速度の14nm技術による128Gb 2b/セル NANDフラッシュメモリ

A 128Gb 2b/cell NAND Flash Memory in 14nm Technology with t_PROG=640μs and 800MB/s I/O Rate

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資料名：
巻： 2016 ページ： 138-139 発行年： 2016年
JST資料番号： D0753A ISSN： 0193-6530 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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半導体集積回路

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tPROG=640μSと800MB/s I/O速度の14nm技術による128Gb 2b/セル NANDフラッシュメモリ

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