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J-GLOBAL ID：201602247837079535   整理番号：16A0923846

希土類元素酸化物中間層を持つSi(100)上に成長した半極性GaNの貫通ピラミッドのファセット解析

Facet analysis of truncated pyramid semi-polar GaN grown on Si(100) with rare-earth oxide interlayer

著者 (8件)： Grinys Tomas (Institute of Applied Research, Vilnius University, Sauletekio 10, 10223 Vilnius, Lithuania) ,  Dargis Rytis (Translucent Inc., 952 Commercial St., Palo Alto, California 94303, USA) ,  Frentrup Martin (The Cambridge Centre for Gallium Nitride, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 0FS, United Kingdom) ,  Juceviciene Agne Kalpakovaite (Institute of Applied Research, Vilnius University, Sauletekio 10, 10223 Vilnius, Lithuania) ,  Badokas Kazimieras (Institute of Applied Research, Vilnius University, Sauletekio 10, 10223 Vilnius, Lithuania) ,  Stanionyte Sandra (Center for Physical Sciences and Technology, Savanoriu av. 231, 02300 Vilnius, Lithuania) ,  Clark Andrew (Translucent Inc., 952 Commercial St., Palo Alto, California 94303, USA) ,  Malinauskas Tadas (Institute of Applied Research, Vilnius University, Sauletekio 10, 10223 Vilnius, Lithuania)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 120  号： 10  ページ： 105301-105301-6  発行年： 2016年09月14日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 希土類元素 ,  酸化物 ,  *層 ,  *ケイ素 ,  *極性 ,  *窒化ガリウム ,  角錐 ,  *ファセット ,  *酸化エルビウム ,  *優先配向 ,  *エピタクシー ,  X線回折 ,  光ルミネセンス ,  走査電子顕微鏡 ,  *結晶成長 ,  化合物半導体 ,  基板 ,  格子整合
準シソーラス用語： *中間層 ,  半極性

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (9件)： 希土類元素酸化物 ,  中間層 ,  Si ,  成長 ,  半極性 ,  GaN ,  ピラミッド ,  ファセット ,  解析