Grinys Tomas について
Institute of Applied Research, Vilnius University, Sauletekio 10, 10223 Vilnius, Lithuania について
Dargis Rytis について
Translucent Inc., 952 Commercial St., Palo Alto, California 94303, USA について
Frentrup Martin について
The Cambridge Centre for Gallium Nitride, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 0FS, United Kingdom について
Juceviciene Agne Kalpakovaite について
Institute of Applied Research, Vilnius University, Sauletekio 10, 10223 Vilnius, Lithuania について
Badokas Kazimieras について
Institute of Applied Research, Vilnius University, Sauletekio 10, 10223 Vilnius, Lithuania について
Stanionyte Sandra について
Center for Physical Sciences and Technology, Savanoriu av. 231, 02300 Vilnius, Lithuania について
Clark Andrew について
Translucent Inc., 952 Commercial St., Palo Alto, California 94303, USA について
Malinauskas Tadas について
Institute of Applied Research, Vilnius University, Sauletekio 10, 10223 Vilnius, Lithuania について
Journal of Applied Physics について
希土類元素 について
酸化物 について
層 について
ケイ素 について
極性 について
窒化ガリウム について
角錐 について
ファセット について
酸化エルビウム について
優先配向 について
エピタクシー について
X線回折 について
光ルミネセンス について
走査電子顕微鏡 について
結晶成長 について
化合物半導体 について
基板 について
格子整合 について
中間層 について
半極性 について
半導体の結晶成長 について
希土類元素酸化物 について
中間層 について
Si について
成長 について
半極性 について
GaN について
ピラミッド について
ファセット について
解析 について