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J-GLOBAL ID：201602247848238431   整理番号：16A0804598

SiC上の歪んだAlN/GaN/AlN量子井戸FETの初めての実証【Powered by NICT】

First demonstration of strained AlN/GaN/AlN quantum well FETs on SiC

著者 (10件)： Islam S M (Dept of ECE, Cornell University, Ithaca, NY-14853, USA) ,  Qi Meng (Dept of EE, University of Notre Dame, Notre Dame, IN-46556, USA) ,  Song Bo (Dept of ECE, Cornell University, Ithaca, NY-14853, USA) ,  Nomoto Kazuki (Dept of ECE, Cornell University, Ithaca, NY-14853, USA) ,  Protasenko Vladimir (Dept of ECE, Cornell University, Ithaca, NY-14853, USA) ,  Wang Jingshan (Dept of EE, University of Notre Dame, Notre Dame, IN-46556, USA) ,  Rouvimov Sergei (Dept of EE, University of Notre Dame, Notre Dame, IN-46556, USA) ,  Fay Patrick (Dept of EE, University of Notre Dame, Notre Dame, IN-46556, USA) ,  Xing Huili Grace (Dept of ECE, Cornell University, Ithaca, NY-14853, USA) ,  Jena Debdeep (Dept of ECE, Cornell University, Ithaca, NY-14853, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MBE再成長接触を持つ超薄体シュードモルフィックGaNオン絶縁体量子井戸FETは最近~10nmまでのスケーリングを支持できることをGaN CMOS技術を,UTBSOI[1]と同様に基本的に新しい戦略として実現した。実証車両[2]は,AlN上のサファイアテンプレート,厚いAlN層,および非常に低い熱伝導率を持つ大きな格子不整合を用いた。SiCはGaN HEMT技術のための選択のために大型ウエハと高い熱伝導率の入手可能性の基質となっている。AlN(1%)と小さい格子不整合は,SiCをAlN/GaN/AlN量子井戸FETのための天然基質[3]として励起選択。最も高性能GaNエレクトロニクスはSiC基板上に構築した。本研究では,著者らは初めてGaN量子井戸FET SiC基板を実証した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子技術 ,  アベイラビリティ ,  *量子井戸 ,  熱伝導率 ,  *炭化ケイ素 ,  基質 ,  格子不整合 ,  *窒化アルミニウム ,  励起 ,  絶縁材料 ,  *窒化ガリウム ,  CMOS ,  絶縁体
準シソーラス用語： 高性能化 ,  GaN HEMT ,  再成長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 符号理論  (ND02030R) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  AlN ,  GaN ,  量子井戸 ,  FET ,  実証