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J-GLOBAL ID：201602249092952071   整理番号：16A0636141

SiプロセスはAu/Siナノ柱アレイを用いた近赤外光検出器を適合【Powered by NICT】

Si process compatible near-infrared photodetector using AU/SI nano-pillar array

著者 (4件)： Kan Tetsuo (Univ. of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Ajiki Yoshiharu (Micro Machine Center, Tokyo, Japan) ,  Matsumoto Kiyoshi (Univ. of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Shimoyama Isao (Univ. of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： MEMS  ページ： 624-627  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は,n型Siウエハ上に構築された近赤外光検出器を報告した。n型Si上に形成された垂直配向Auナノピラーは赤外光を効果的に吸収する光アンテナとして機能した。各ナノピラーは直径2.7μm高さ,μmピッチの百nmであった。ナノピラーは,1.25μm(近赤外)から4μm(中赤外)までの範囲の波長で20%の低い反射率を示し,大きな吸光度を示した。吸収されたエネルギーは,Au/n-Si界面上に形成したSchottky障壁ダイオードによる光電流に変換される。ナノピラー光検出器の光電流感度(応答)は平坦なAu表面と制御Schottky型光検出器と比較して約10倍の増加を示した。検出可能な波長限界は1650nmまで拡張した。この方法はSi製造プロセスと互換性があるので,多波長イメージングのための光検出器を構築するための基本的な方法として役立つであろう。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 吸光度 ,  界面 ,  *金 ,  波長 ,  *近赤外線 ,  Schottky障壁ダイオード ,  反射率 ,  *光検出器 ,  光電流 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 多波長 ,  光アンテナ ,  ナノピラー ,  垂直配向 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  プロセス ,  Au ,  ナノ柱 ,  アレイ ,  近赤外光 ,  検出器