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J-GLOBAL ID：201602250302273699   整理番号：16A0739969

NB-ZN-SN-Oアモルファス薄膜の成長と性能【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and Characterization of Amorphous Nb-Zn-Sn-O Thin Films

著者 (5件)： Yan Weichao (State Key Laboratory of Silicon Materials,School of Materials Science and Engineering,Zhejiang University) ,  Sun Rujie (State Key Laboratory of Silicon Materials,School of Materials Science and Engineering,Zhejiang University) ,  Chen Lingxiang (State Key Laboratory of Silicon Materials,School of Materials Science and Engineering,Zhejiang University) ,  Lv Jianguo (State Key Laboratory of Silicon Materials,School of Materials Science and Engineering,Zhejiang University) ,  Ye Zhizhen (State Key Laboratory of Silicon Materials,School of Materials Science and Engineering,Zhejiang University)
資料名： Cailiao Kexue Yu Gongcheng Xuebao  (Cailiao Kexue Yu Gongcheng Xuebao)
巻： 33  号： 6  ページ： 814-817  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2657A  ISSN： 1673-2812  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 無線周波数マグネトロンスパッタリング技術を用いて,成功裏に調製した薄膜トランジスタ(TFT)のチャネル層の非晶質NB-ZN-SN-O(NZTO)薄膜として用いることができる。アニーリング処理NZTO薄膜に対するスパッタリング圧力は材料の構造、電気的と光学的性質の影響を研究した,そしてスパッタリングパワーが120Wスパッタリング圧力が0.6PAそして400°Cの温度で2Hアニーリング後である,電子移動度は5.5CMに達し、2V(-1)S(-1)キャリア濃度は10(17)以下,かつ可視光透過率は80%であった。以上の薄膜を調製した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 透過率 ,  チャネル ,  マグネトロンスパッタリング ,  焼なまし ,  キャリア密度 ,  スパッタリング ,  *非晶質 ,  可視光 ,  薄膜トランジスタ ,  光学的性質 ,  *薄膜
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  無線周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： magnetron sputtering ,  amorphous ,  thin films ,  annealing

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Nb ,  Zn ,  Sn ,  アモルファス ,  薄膜 ,  成長