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J-GLOBAL ID：201602250324142904   整理番号：16A1405080

Al/GO PEDOTにおけるバイポーラ抵抗スイッチング:PSS/Ptメモリ素子【Powered by NICT】

Bipolar resistive switching in Al/GO-PEDOT:PSS/Pt memory devices

著者 (6件)： Chao Hong (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Yuan Fang-Yuan (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Wu Huaqiang (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Deng Ning (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Wang Chongjie (State Key Laboratory of Organic-Inorganic Composites, Department of Polymer Engineering, College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, China) ,  Wei Rongshan (School of Physics and Information, College of Materials, Fuzhou University, Fuzhou 350116, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EDSSC  ページ： 74-77  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性バイポーラ抵抗スイッチングメモリのための新しい抵抗メモリ材料,GO PEDOTとしてグラフェン酸化物(GO)ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン): ポリスチレンスルホン酸(PEDOT:PSS)を提案した:PSS複合材料は高密度フレキシブル不揮発性メモリにおける抵抗変化の使用の大きな可能性を示した。反復高速スイッチング,低スイッチング電圧(約±1~3V),HRSとLRSの厳密な分布と長い保持10~4s以上のを実証することに成功した。伝導と抵抗スイッチングの機構を研究した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 複合材料 ,  高速度 ,  非揮発性 ,  不揮発性メモリ ,  *スイッチング ,  *記憶素子
準シソーラス用語： 抵抗変化 ,  高密度 ,  抵抗メモリ ,  抵抗スイッチングメモリ ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  分子・遺伝情報処理  (JE15040B)

タイトルに関連する用語 (7件)： Al ,  PEDOT ,  バイポーラ ,  抵抗スイッチング ,  PSS ,  Pt ,  メモリ素子