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J-GLOBAL ID:201602250339969557   整理番号:16A0977084

ロバストで弱いライナのための変化する損傷抵抗を用いた範囲ULK ILD材料のためのTDDBに及ぼすH_2Oの影響【Powered by NICT】

Effect of H2O on TDDB for a range of ULK ILD materials with varying damage resistance for robust and weak liners
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資料名:
巻: 2016  号: IRPS  ページ: DI-7-1-DI-7-5  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,TDDB寿命間の相関に注目してきた,ロバストなライナを用いた異なるILD材料のH_2O意図的に導入し,トップ表面損傷の存在。緩く結合した物理吸着したH2Oの移動の活性化エネルギーは交流損失測定を用いて得た。は比較的低電圧で長期ストレス下で意図的に作製した薄い/弱いライナーを通した金属線のうちCu絞りにおける水分の役割を明らかにした。交流損失,I-V,三角波電圧掃引(TVS)とTDDB測定は全てのCu線ILDへの移動であるという証拠を提供する。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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