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J-GLOBAL ID：201602251013871339   整理番号：16A0697664

非常に狭いメサ構造をもつSi-IGBTのスケーリング極限について【Powered by NICT】

On the scaling limit of the Si-IGBTs with very narrow mesa structure

著者 (7件)： Eikyu Katsumi (Renesas Electronics Corp., Hitachinaka, Ibaraki, Japan) ,  Sakai Atsushi (Renesas Electronics Corp., Hitachinaka, Ibaraki, Japan) ,  Matsuura Hitoshi (Renesas Semiconductor Manufacturing Corp., Hitachinaka, Ibaraki, Japan) ,  Nakazawa Yoshito (Renesas Semiconductor Manufacturing Corp., Hitachinaka, Ibaraki, Japan) ,  Akiyama Yutaka (Renesas Electronics Corp., Hitachinaka, Ibaraki, Japan) ,  Yamaguchi Yasuo (Renesas Electronics Corp., Hitachinaka, Ibaraki, Japan) ,  Inuishi Masahide (Renesas Electronics Corp., Hitachinaka, Ibaraki, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ISPSD  ページ： 211-214  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第七世代IGBTプロセスに基づく非常に狭いメサ構造を作製し,伝導損失をかなり抑制しが最も狭いメサを持つ素子は非常に貧弱な短絡(SC)能力を示すことが分かった。不良SC容量はSiメサの中央にコレクタバイアス誘起障壁低下に由来する非飽和出力特性に起因している。電流フィラメンテーションは自己加熱を用いた3Dマルチセル短絡シミュレーションで観察され,フィラメンテーションによるSC容量劣化は,より狭いメサ構造における増強された。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *IGBT ,  三次元 ,  電流 ,  シミュレーション ,  *メサ構造
準シソーラス用語： 自己加熱 ,  フィラメンテーション ,  出力特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (3件)： メサ構造 ,  スケーリング ,  極限