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J-GLOBAL ID：201602251552556759   整理番号：16A1286271

Si太陽電池エミッタ飽和電流密度に及ぼす現世代スクリーン印刷Agペーストの影響の評価【Powered by NICT】

Evaluating the impact of current-generation screen-printed Ag paste on Si solar cell emitter saturation current density

著者 (4件)： Cooper Ian B. (SUNY Polytechnic Institute, Colleges of Nanoscale Science and Engineering, Photovoltaic Manufacturing and Technology Development Facility, Rochester, NY, 14626, USA) ,  Tate Keith (University Center of Excellence for Photovoltaic Research and Education, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332, USA) ,  Jones Keenan I. (University Center of Excellence for Photovoltaic Research and Education, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332, USA) ,  Rohatgi Ajeet (University Center of Excellence for Photovoltaic Research and Education, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： PVSC  ページ： 2878-2881  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現世代スクリーン印刷(SP)Agペーストは高い曲線因子(FF)との低い飽和電流密度(J_0e)を示す低濃度ドープSi太陽電池エミッタに接触する能力を示した。しかし,より高い焼成温度は低抵抗Ag接触,J_0eを分解し,低い開路電圧(V_OC)を引き起こす可能性を達成するために必要であることを観察した。より高い焼成温度は,ブリスタリング後方SP Al膜をもたらした。細胞性能に及ぼす前面と裏面接触形成の影響を分離するために,ドーピング密度と焼成温度の範囲でn+りん(P)エミッタJ_0eに対するSP Ag接点の影響に関するデータを示した。範囲Ag被覆率領域(A_metal)を用いて,A_metal(dJ_0JdA_metaj)の関数としてJ_0eの変化は焼成温度の増加とともに増加することを観測したSP Ag(Joe,me_tai)下でJ_0eを抽出し,J_0e,_金属の増加を示した。SP Ag接点のための典型的な被覆率,A_metal=7%で計算したV_OC損失は実験V_OC損失を完全に説明できず,高温焼成によるAl裏面電界(Al BSF)分解はV_OC損失を支配することが分かった。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ブリスタリング ,  *ペースト ,  *太陽電池 ,  被覆率 ,  高温 ,  *スクリーン印刷 ,  電場 ,  ドーピング ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  焼成温度 ,  低濃度 ,  曲線因子 ,  *飽和電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： パターン認識  (JE07000S) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  音声処理  (JE05000E) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  太陽電池 ,  エミッタ ,  飽和電流密度 ,  現世 ,  スクリーン印刷 ,  Agペースト ,  影響の評価