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J-GLOBAL ID：201602251582561937   整理番号：16A1150680

部分トレンチ分離を用いたフォトダイオード高フィルファクタ4H-SiCアバランシェフォトダイオード【Powered by NICT】

High Fill-Factor 4H-SiC Avalanche Photodiodes With Partial Trench Isolation

著者 (8件)： Li Lianghui (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zhou Dong (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Liu Fei (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Lu Hai (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Ren Fangfang (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Chen Dunjun (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zhang Rong (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zheng Youdou (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 28  号： 22  ページ： 2526-2528  発行年： 2016年 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 部分トレンチ分離を用いた傾斜メサ4H-SiC紫外線(UV)アバランシェ・フォトダイオード(APD)を報告した。この部分的トレンチアイソレーション構造を採用することにより,APDの素子直径は150~μmである場合,その曲線因子は,従来の全トレンチアイソレーション構造と比較して33.9%から63.5%に増加させることができる。APDの光電流は対応する改善を示す同じUV光源で照射した。電流 電圧,スペクトル応答,および単一光子検出特性化を通して,部分的トレンチアイソレーションAPDの性能は,従来の全トレンチアイソレーション構造と比較して劣化させないことを証明した。暗計数率は1Hz/μm~2で固定されているときに部分的トレンチアイソレーションの本論文で作製したAPDは280nmで270nmで66.4%の単位利得ピーク量子効率と9.5%の単一光子検出効率を示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 量子効率 ,  電流 ,  *フォトダイオード ,  紫外線 ,  *アバランシェフォトダイオード ,  利得 ,  光電流 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 暗計数率 ,  単一光子検出 ,  スペクトル応答 ,  曲線因子 ,  *フィルファクタ ,  *4H-SiC ,  *トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (5件)： トレンチ ,  フォトダイオード ,  フィルファクタ ,  4H-SiC ,  アバランシェフォトダイオード