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J-GLOBAL ID：201602251591879917   整理番号：16A0726652

シリコン上のInPデバイスの異種集積化【Powered by NICT】

Heterogeneous Integration of InP Devices on Silicon

著者 (7件)： Wang Zhechao (Ghent University, Belgium) ,  Pantouvaki Marianna (IMEC, Belgium) ,  Morthier Geert (Ghent University, Belgium) ,  Merckling Clement (IMEC, Belgium) ,  van Campenhout Joris (IMEC, Belgium) ,  van Thourhout Dries (Ghent University, Belgium) ,  Roelkens Gunther (Ghent University, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,シリコン上のInPフォトニックデバイスの不均一集積に関する著者らの研究をレビューした。フォトニクス研究グループ,すなわち比較的成熟した接着剤結合に基づく積分スキームと新たに示したバッファなしエピタキシャル成長法で広く検討されてきた二集積技術を詳しく述べた。これらの技術に基づいて,モード同期レーザ,高速直接変調分布帰還形レーザ,電界吸収変調器,光検出器,高輝度発光ダイオードなどを含むフォトニックデバイスの広い範囲について述べた。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： モード同期レーザ ,  接着剤 ,  高速度 ,  *リン化インジウム ,  光検出器 ,  積分 ,  分布帰還形レーザ ,  発光ダイオード ,  エピタクシー
準シソーラス用語： 高輝度 ,  EA変調器 ,  直接変調 ,  フォトニクス ,  フォトニックデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  InP ,  集積化