モバイル環境におけるRFIを緩和するためのLPDDR界面におけるEMI効果のシミュレーションに基づく解析【Powered by NICT】

Kim Seil; Moon Sungwook; Lee Seungbae; Yi Donny; Park Goeun; Shin Sangchul; Pae Sangwoo

文献

J-GLOBAL ID：201602251625067738 整理番号：16A0657067

モバイル環境におけるRFIを緩和するためのLPDDR界面におけるEMI効果のシミュレーションに基づく解析【Powered by NICT】

Simulation-based analysis on EMI effect in LPDDR interface for mitigating RFI in a mobile environment

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資料名：
巻： 2016 号： SPI ページ： 1-4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

モバイルアプリケーションにおける電磁干渉(EMI)雑音の増加は全等方性感度(TIS)とシステム信頼性の劣化をもたらすことができることを他のチップまたはアンテナの性能に直接影響する。近傍fiend走査(NFS)の結果によると,パッケージ(POP)構造に及ぼすパッケージにおけるAP LPDDRメモリインタフェイスから放出される電磁(EM)雑音は主要な要因の一つであることが分かった。雑音周波数は通信チャネル上に置かれると,関連したクロック周波数は,無線周波数干渉(RFI)を避けるために調整する必要がある。本研究では,シリコンの評価の前にAP LPDDR界面のEMIノイズの大きさとその帯域幅を推定するためのシミュレーションベースの解析とモデリングを報告した。は潜在的EMIリスクに対処し,プレシリコンレベルで先行ICのRFIを意識した周波数選択を支援する助けとなる。シミュレーション結果は,このモデリング手法を検証シリコン結果と良く一致した。AP LPDDR界面からのEMI効果を分析するために,IOクロックとデータ信号は,制御可能なパラメータでモデル化した。記憶パッドでの電圧変動を解析することによりピーク点とその帯域幅で雑音周波数を推定し,ビットトグル/アイドル比とバースト長のような重要な因子を調整することにより,EMI大きさと帯域幅の影響を同定した。アプローチはインターポーザで測定した電圧を用いて検証した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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音声処理

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