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J-GLOBAL ID：201602252065958479   整理番号：16A0999859

水性前駆体で調製したHf_0.5Zr_0.5O₂薄膜の厚さ依存相発達と誘電性質

Thickness-dependent phase evolution and dielectric property of Hf0.5Zr0.5O2 thin films prepared with aqueous precursor

著者 (10件)： Yan Yong (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, China) ,  Zhou Dayu (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, China) ,  Zhou Dayu (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Guo Chunxia (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, China) ,  Xu Jin (Department of Electronic Engineering, Dalian Neusoft University of Information, Dalian, China) ,  Yang Xirui (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, China) ,  Liang Hailong (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, China) ,  Zhou Fangyang (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, China) ,  Chu Shichao (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, China) ,  Liu Xiaoying (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, China)
資料名： Journal of Sol-Gel Science and Technology  (Journal of Sol-Gel Science and Technology)
巻： 77  号： 2  ページ： 430-436  発行年： 2016年02月 
JST資料番号： W0812A  ISSN： 0928-0707  CODEN： JSGTEC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル法によりケイ素基板上にHf_0.5Zr_0.5O₂薄膜を調製した。この膜の結晶化温度,厚さ,密度,表面形態,結晶構造および化学結合の様子を,TGA,DSC,XRR,AFM,GIXRDおよびXPS技術を用いて研究した。その結果,結晶化温度は496°Cで,膜表面は平滑で,気孔と微小亀裂は認められなかった。700°Cでアニーリングした後,密度は5.1から8.0g/cm³に大きく増加した。結晶構造は,膜厚に強く依存する。12.9nmより薄いHf_0.5Zr_0.5では正方晶系相が安定と思われる。厚さが増加すると,単斜晶系相が徐々に出現し,最終的には46.1nmより厚い膜では支配的になる。この結果を表面エネルギー効果で説明できると思われる。1MV/cmで測定すると,漏れ電流密度は約3.5×10^-6A/cm²で,このことは一層水性溶液前駆体から誘導された薄膜の高い品質を物語っている。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ハフニウム化合物 ,  *ジルコニウム化合物 ,  *酸化物 ,  *薄膜 ,  ゾル-ゲル法 ,  *水溶液 ,  *前駆体 ,  *膜厚 ,  *発展 ,  *相 ,  誘電性 ,  依存性 ,  ウエハ【IC】 ,  スピンコーティング ,  晶出温度 ,  密度 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  結晶構造 ,  化学結合 ,  熱処理 ,  正方晶系 ,  安定性 ,  単斜晶系 ,  相組成 ,  表面エネルギー ,  電流密度 ,  漏れ電流 ,  塩化物 ,  酸素化合物 ,  アンモニア ,  過酸化水素 ,  硝酸
準シソーラス用語： オキシ塩化ハフニウム ,  ケイ素基板 ,  *ゾル-ゲル膜 ,  塩化ジルコニル ,  厚み依存性 ,  *相発達 ,  熱アニーリング ,  表面形態 ,  漏れ電流密度

著者キーワード (5件)： Hf0.5Zr0.5O2 thin films ,  Aqueous precursor ,  Phase transition ,  Thickness dependence ,  Dielectric property

分類 (2件)： 非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 前駆体 ,  調製 ,  薄膜 ,  発達 ,  誘電性質