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J-GLOBAL ID：201602252849862016   整理番号：16A1234362

フェムト秒光電界面材料の表面着色に及ぼすスポットライトの影響を検討した。【JST・京大機械翻訳】

Influence of Overlapping Rate of Focused Femtosecond Laser Spot on the Silicon Surfaces Colorization

著者 (6件)： Bai Feng (State Key Laboratory of High Field Laser Physics,Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences) ,  Fan Wenzhong (State Key Laboratory of High Field Laser Physics,Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Yangbo (State Key Laboratory of High Field Laser Physics,Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences) ,  Pan Huaihai (State Key Laboratory of High Field Laser Physics,Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Hongjin (State Key Laboratory of High Field Laser Physics,Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Quanzhong (State Key Laboratory of High Field Laser Physics,Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Zhongguo Jiguang  (Zhongguo Jiguang)
巻： 43  号： 7  ページ： 0703001-1-0703001-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： C5022A  ISSN： 0258-7025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,フェムト秒光電材料の表面着色に及ぼすスポットの影響を研究した。実験結果は以下を示す。フェムト秒レーザーはシリコン材料表面の着色は、その表面に周期的ナノ構造を誘導するためである。フェムト秒レーザーパワーが一定の場合、高と低スポットの率はいずれも着色を実現できない。レーザパワーの範囲内では,スポットサイズが大きいほど,色が豊富になり,着色効率が高くなる。また反射率の測定結果は,着色後のサンプルの反射率が可視光の範囲内で約50%低下することを示した。フェムト秒レーザ材料の表面着色のパラメータ窓を得て、フェムト秒レーザー半導体の着色の普及に技術的参考を提供した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ナノ構造 ,  反射率 ,  レーザ出力 ,  可視光 ,  フェムト秒レーザ ,  *着色 ,  半導体 ,  ケイ素 ,  *フェムト秒
準シソーラス用語： 着色効率 ,  スポットサイズ ,  光電材料 ,  *光電場 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： materials ,  laser colorizing ,  femtosecond laser ,  overlapping rate of focusing spot ,  silicon

分類 (1件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (5件)： フェムト秒 ,  光電界 ,  面材料 ,  着色 ,  スポットライト