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J-GLOBAL ID：201602252901003255   整理番号：16A0967259

Cu(In,Ga)Se₂超状態太陽電池における有利な光管理

Advantageous light management in Cu(In,Ga)Se₂ superstrate solar cells

著者 (8件)： Heinemann M.D. (Institute Competence Centre Photovoltaics Berlin (PVcomB), Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Schwarzschildstrasse 3, 12489 Berlin, Germany) ,  Ruske F. (Institute Silicon Photovoltaics, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany) ,  Greiner D. (Institute Competence Centre Photovoltaics Berlin (PVcomB), Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Schwarzschildstrasse 3, 12489 Berlin, Germany) ,  Jeong A.R. (Institute for Heterogeneous Material Systems, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany) ,  Rusu M. (Institute for Heterogeneous Material Systems, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany) ,  Rech B. (Institute Silicon Photovoltaics, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany) ,  Schlatmann R. (Institute Competence Centre Photovoltaics Berlin (PVcomB), Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Schwarzschildstrasse 3, 12489 Berlin, Germany) ,  Kaufmann C.A. (Institute Competence Centre Photovoltaics Berlin (PVcomB), Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Schwarzschildstrasse 3, 12489 Berlin, Germany)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 150  ページ： 76-81  発行年： 2016年06月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)光起電力素子の超状態配置は,標準的基板配置に比べて,光収集を改善する潜在能力を示す。p型CIGSとn型成分間の貧弱なヘテロ界面に起因する超状態素子のパワー変換効率の制約のために,これらの利点は,これまで十分に考慮されてこなかった。この研究では,超状態配置がCIGS素子の場合でも光管理を大きく改善できることを示した。実験的に,ZnO窓層の電気的光学的特性がCIGS蒸着時に強く改善され,有効な光捕獲のために,構造化ZnO層の利用が可能になることを明らかにした。低仕事関数のAg金属層と組み合わせて,正孔輸送層に高仕事関数物質のMoO₃を利用して,高反射性で散乱性背面接触を実現した。超状態配置で実現可能なユニークなGa勾配と組み合わせると,シミュレーション結果から,パワー変換効率の増大を伴って,CIGS層厚の大幅な低減が可能であることが分かった。この概念証明は,将来のコスト的有利なCIGS太陽電池生産用に,上板配置の推奨を強調している。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *光吸収 ,  *超薄膜 ,  *酸化亜鉛 ,  膜厚 ,  仕事関数 ,  *窓 ,  酸化モリブデン ,  光反射 ,  接触 ,  銀 ,  *エネルギー変換効率 ,  *配置 ,  原価低減
準シソーラス用語： 背面接触

著者キーワード (6件)： CIGS ,  Superstrate ,  Ultra-thin ,  ZnO ,  Light trapping ,  MoO _x

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： Cu ,  Ga ,  太陽電池