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J-GLOBAL ID：201602254080445064   整理番号：16A0654355

MLC NANDフラッシュアレイにおける不完全ブロックに読出し擾乱の影響【Powered by NICT】

Effect of Read Disturb on Incomplete Blocks in MLC NAND Flash Arrays

著者 (8件)： Papandreou N. ,  Parnell T. ,  Mittelholzer T. ,  Pozidis H. ,  Griffin T. ,  Tressler G. ,  Fisher T. ,  Camp C.
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IMW  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MLC NANDの部分的にプログラムされたブロックに読出し攪乱の影響を2Y,1Yおよび1x nmフラッシュメモリデバイスからの実験データを用いて評価した。ページプログラミングの観点での最終決定する前に部分的にプログラムされたブロックは多数読み取りのに曝されたとき,残りのページを上位ビット誤り率(BER)を示す増加することを実証した。ページBERはプログラム-消去サイクルと読み出しサイクルの観点から特性化し,さらにプログラムしたしきい値電圧分布に基づいて解析した。ページプログラミングアルゴリズムの影響も検討した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  ビット誤り率 ,  *読出し , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (4件)： NANDフラッシュ ,  アレイ ,  読出し ,  擾乱