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J-GLOBAL ID：201602254187356780   整理番号：16A1022542

GAAS上のP型OHM接触性能を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Study on the Ohmic contact property of p-type GaAs

著者 (6件)： Liu Menghan (Key Laboratory of Opto-Electronics Technology of Ministry of Education,Beijing University of Technology) ,  Cui Bifeng (Key Laboratory of Opto-Electronics Technology of Ministry of Education,Beijing University of Technology) ,  He Xin (Key Laboratory of Opto-Electronics Technology of Ministry of Education,Beijing University of Technology) ,  Kong Zhenzhen (Key Laboratory of Opto-Electronics Technology of Ministry of Education,Beijing University of Technology) ,  Huang Xinzhu (Key Laboratory of Opto-Electronics Technology of Ministry of Education,Beijing University of Technology) ,  Li Sha (Key Laboratory of Opto-Electronics Technology of Ministry of Education,Beijing University of Technology)
資料名： Jiguang yu Hongwai  (Jiguang yu Hongwai)
巻： 46  号： 5  ページ： 578-582  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2073A  ISSN： 1001-5078  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 半導体電気光件のP-GAASオーム接触の特性を研究するために,マグネトロンスパッタリングを用いてP-GAAS上のTIの厚さ10~50NMの範囲、PT厚さ30~60NMの範囲のTI/PT/200 NM AUの電極構造が成長。伝送線路モデルを利用して測定し,異なるTIを有するPT厚さのTI/PT/200NM AU電極構造接触抵抗率は,アニーリングパラメータがオーム接触性能の影響を研究した,同時に解析した過高温度,電極金属のエッジから内部へのしわの機構を導いた。結果により,TIの厚さが30NM前後のときに抵抗率が最も低い接触抵抗はPT厚さの増加に伴い増加する;オーム接触の品質はアニーリング温度に対してより敏感であり,アニーリング温度が510°Cのとき電極の金属エッジから内部に向かって収縮に達した。40NM TI/40NMPT/200NM AU半導体電気光件としてP-GAAS電極構造を採用し,合金の条件は420°Cであり,30 Sより良いOHM接触を形成できる。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 合金 ,  接触抵抗 ,  *Ohm接触 ,  品質 ,  マグネトロンスパッタリング ,  高温 ,  電気抵抗率 ,  半導体
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  比接触抵抗 ,  伝送線路モデル ,  電極構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： semiconductor device ,  Ohmic contact ,  contact resistance ,  alloy

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  Ohm接触 ,  研究