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J-GLOBAL ID：201602255327133995   整理番号：16A1098538

SiO_2/SiとSi_3N_4/SiO_2/Siのナノ界面の屈折率と界面状態に関する実験的および計算機による研究【Powered by NICT】

Experimental and computational studies on the refractive index and interface state for nano interface of SiO₂/Si and Si₃N₄/SiO₂/Si

著者 (6件)： Rong Li-mei (School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Liu Bo (School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Meng Zhi-jun (School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Liu Kui (School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Yu Qi (School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Liu Yang (School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： INEC  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 屈折率と界面状態を偏光解析法とコンダクタンス法を用いたSiO_2/SiとSi_3N_4/SiO_2/Siを調べた。界面構造の局所光学性能は,層状キャパシタ法でモデル化し,計算した。フィッティング偏光解析法年代は,その測定と一致し,屈折率SiO_2/Si界面を横切るの計算データは偏光解析法の結果と同じ傾向を示した。界面構造,酸化状態,屈折率,界面状態の厚さの間の相関を解析した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： コンダクタンス ,  *界面 ,  *表面準位 ,  計算機械 ,  コンデンサ ,  偏光解析法 ,  モデリング ,  *屈折率
準シソーラス用語： 酸化状態 ,  界面構造 ,  *ナノ界面 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  ナノ界面 ,  屈折率 ,  界面状態 ,  実験 ,  計算機 ,  研究