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J-GLOBAL ID：201602255420508832   整理番号：16A1151373

14nm UTBB FDSOIによるSiGeチャネルの性能とレイアウト効果:SiGe第一対SiGe最終統合【Powered by NICT】

Performance and layout effects of SiGe channel in 14nm UTBB FDSOI: SiGe-first vs. SiGe-last integration

著者 (9件)： Berthelon R. (STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France) ,  Andrieu F. (CEA-LETI, Minatec campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France) ,  Perreau P. (CEA-LETI, Minatec campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France) ,  Baylac E. (STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France) ,  Pofelski A. (STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France) ,  Josse E. (STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France) ,  Dutartre D. (STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France) ,  Claverie A. (CEMES-CNRS, 29 Rue Jeanne Marvig 31055 Toulouse Cedex 4, France) ,  Haond M. (STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ESSDERC  ページ： 127-130  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪SiGeチャネルFDSOI pMOSFETSにおけるレイアウト効果20nmまでのゲート長さを報告した。二SiGe積分スキームを比較した:SiGe最初のアプローチ,STIモジュール前に実施したGe濃縮とSTIモジュール後にのみSiGeエピタクシーを用いたSiGe最後のアプローチであった。Si/SiGe二層を特徴とするSiGe最終統合における減少レイアウト効果を証明した。SiGe最後は長チャネル170nmの狭い2μmで 39%移動度が,Lg=20nmで%IeffとゲートにSTI距離59nmを示した。フィンガーインバータのリング発振器のための 15%の遅延減少に変換した。レイアウト依存性を物理的歪測定によって説明し,応力ベース電気モデルによって再現した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 移動度 ,  *ゲルマニウム ,  リング発振器 ,  チャネル ,  エピタクシー ,  歪測定 ,  積分
準シソーラス用語： 二層 ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 信号理論  (ND02020G) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (5件)： FDSOI ,  SiGe ,  チャネル ,  レイアウト ,  統合