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J-GLOBAL ID：201602255432614132   整理番号：16A0532753

相変化メモリ用途の熱安定性の高いSb-Te-Se複合膜

Sb-Te-Se composite film with high-thermal stability for phase-change memory application

著者 (10件)： Chen Liangliang (Department of Biomedical Engineering, School of Information and Engineering, Wenzhou Medical University, Wenzhou, 325000, P.R. China) ,  Song Sannian (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200032, P.R. China) ,  Song Zhitang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200032, P.R. China) ,  Li Le (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200032, P.R. China) ,  Zhang Zhonghua (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200032, P.R. China) ,  Zheng Qianqian (Department of Biomedical Engineering, School of Information and Engineering, Wenzhou Medical University, Wenzhou, 325000, P.R. China) ,  Zhang Xin (Department of Biomedical Engineering, School of Information and Engineering, Wenzhou Medical University, Wenzhou, 325000, P.R. China) ,  Zhu Xiuwei (Department of Biomedical Engineering, School of Information and Engineering, Wenzhou Medical University, Wenzhou, 325000, P.R. China) ,  Lu Luyao (Department of Biomedical Engineering, School of Information and Engineering, Wenzhou Medical University, Wenzhou, 325000, P.R. China) ,  Shao Hehong (Department of Biomedical Engineering, School of Information and Engineering, Wenzhou Medical University, Wenzhou, 325000, P.R. China)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 213  号： 1  ページ： 127-132  発行年： 2016年01月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sb₂TeにSb₂Se₃をドープして作製した,適当な組成材料Sb₄₄Te₁₁Se₄₅を持つSb-Te-Se三成分系の優れた熱安定性を示した。慣用のGe₂Sb₂Te₅に比べ,Sb₄₄Te₁₁Se₄₅膜は220°Cの高い結晶化温度,4.25eVの高い活性化エネルギー,10年間の超長時間データ保持期間を有し,これは優れた熱安定性を意味する。Sb₂Se₃ドーピングは結晶粒径を小さくできることが分かった。これはSb₄₄Te₁₁Se₄₅が相変化メモリ(PCM)用途に適することを意味する。Sb₄₄Te₁₁Se₄₅に基づくPCMセルでは,非晶質状態と結晶状態の電気抵抗率の比は最大二桁で,データ分解に十分である。熱安定性の観点から,Sb₄₄Te₁₁Se₄₅複合膜は高温貯蔵用途の潜在的相変化材料であると思われる。Copyright 2016 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  相転移 ,  *複合膜 ,  三成分系 ,  アンチモン化合物 ,  セレン化物 ,  テルル化物 ,  ドーピング ,  *熱安定性 ,  データ蓄積 ,  電気抵抗率 ,  記憶媒体
準シソーラス用語： *相変化メモリ ,  相変化材料 ,  セレン化アンチモン ,  テルル化アンチモン ,  データ保持 ,  データ記録

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 相変化メモリ ,  用途 ,  熱安定性 ,  Sb ,  Te ,  Se ,  複合膜