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J-GLOBAL ID:201602257988353602   整理番号:16A0849304

ヒ素の高濃度溶液におけるAS-SB合金を電着【JST・京大機械翻訳】

Electrodeposition of As-Sb alloy from high arsenic-containing solutions
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資料名:
巻: 26  号:ページ: 310-318  発行年: 2016年01月 
JST資料番号: W0396A  ISSN: 1003-6326  CODEN: TNMCEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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ヒ素の高濃度溶液において電着法を用いて,電着過程中の電解液成分の槽電圧と電流効率に及ぼす電解液における反応電流密度、SB(3+)濃度、温度と塩酸濃度の影響を考察し,AS-SB合金を調製した。そして走査電子顕微鏡(SEM)、誘導結合などのイオン体質スペクトル(ICP-MS)とX線回折(XRD)は,堆積物の表面形態、成分と構造に対してそれぞれ解析を行う。結果:に研究のプロセスの条件下で調製したAS-SB合金の堆積層では,いずれも非晶質構造であった。最適プロセスは次のようになる:AS(3+)の濃度は10G/Lであり,SB(3+)の濃度は2G/Lであり,塩酸の濃度は4MOL/Lであり,電流密度は4MA/CM2であり,温度は20°Cであり,この条件下で電流効率は94.74%に達した。堆積層含70.26% ASとSB29.74%(質量分率)が,ヒ素の除去効率が高い。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】
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電気めっき 
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