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J-GLOBAL ID：201602259112215406   整理番号：16A0689158

ニッケルドープされたA₂InTaO₆(A=SrまたはBa)ダブルペロブスカイト化合物の光触媒特性の構造依存性

Structural dependence of the photocatalytic properties of double perovskite compounds A₂InTaO₆ (A = Sr or Ba) doped with nickel

著者 (7件)： Lv Meilin (Shanghai Key Lab of Chemical Assessment and Sustainability, Department of Chemistry, Tongji University, 1239 Siping Road, Shanghai, 200092, China. [e-mail]) ,  Wang Yawei ,  Lu Lingwei ,  Wang Ruinan ,  Ni Shuang ,  Liu Gang ,  Xu Xiaoxiang
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 18  号： 31  ページ： 21491-21499  発行年： 2016年08月21日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一般的に光触媒の結晶構造はその電子構造および触媒性能の制御に中心的な役割を果たす。本報は一連の二重ペロブスカイト化合物A₂InTaO₆(A=SrまたはBa)およびそれらのNiドープ試料についてドーピングおよび構造修飾が光触媒活性におよぼす影響を検討した。その結果,ニッケルドーピングがこれらのワイドバンドギャップ半導体の光吸収の増強に有効であり,AサイトのSrカチオンの調節により強い構造歪,即ちIn(Ni)-O-Ta結合角が180°から大きく変形,を生じることを示した。ニッケルドーピングおよびAサイトにBaを含む試料で改善された光触媒性能が観測された。Ba₂In_0.9Ni_0.1TaO₆の全波長照射下における最高の光触媒水素生成速度は293.6μmol/hであり,見かけの量子効率2.75%を記録した。DFT計算はNIドーピングの役割として本来のペロブスカイトの固有バンドギャップのバンド内における追加のスピン分極の生成であることを明らかにした。Ba₂In_0.9Ni_0.1TaO₆の改善された光触媒活性をバンドギャップの減少および線状In(Ni)-O-Ta結合配置による強い金属-酸素-金属相互作用の結果として説明した。Copyright 2016 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ペロブスカイト型結晶 ,  *タンタル酸塩 ,  ストロンチウム化合物 ,  *バリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *ドーピング ,  *ニッケル ,  *触媒活性 ,  光触媒 ,  光吸収 ,  *化合物半導体 ,  結晶構造 ,  触媒調製 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  X線光電子スペクトル ,  紫外可視吸収スペクトル ,  バンド構造 ,  密度汎関数法 ,  量子効率
準シソーラス用語： *ダブルペロブスカイト ,  *ワイドバンドギャップ半導体 ,  *光触媒活性 ,  *水素製造 ,  電界放出型走査電子顕微鏡

分類 (3件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  その他の触媒  (CB06123Z) ,  気体燃料の製造  (YE02030F)

タイトルに関連する用語 (6件)： ニッケル ,  ドープ ,  Ba ,  ダブルペロブスカイト ,  触媒特性 ,  構造依存性