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J-GLOBAL ID：201602259235510579   整理番号：16A1098582

ナノ構造炭素材料に基づく新しい記憶素子【Powered by NICT】

Novel memory devices based on nanostructured carbon materials

著者 (8件)： Li Yu-Xing (Institute of Microelectronics & Tsinghua National for Information Science and Technology (TNList), Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Zhao Hai-Ming (Institute of Microelectronics & Tsinghua National for Information Science and Technology (TNList), Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Mi Wen-Tian (Institute of Microelectronics & Tsinghua National for Information Science and Technology (TNList), Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Wang Jia-Bin (Institute of Microelectronics & Tsinghua National for Information Science and Technology (TNList), Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Wang Xue-Feng (Institute of Microelectronics & Tsinghua National for Information Science and Technology (TNList), Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Tian He (Institute of Microelectronics & Tsinghua National for Information Science and Technology (TNList), Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Yang Yi (Institute of Microelectronics & Tsinghua National for Information Science and Technology (TNList), Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Ren Tian-Ling (Institute of Microelectronics & Tsinghua National for Information Science and Technology (TNList), Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： INEC  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ,グラフェンおよびカーボンナノチューブのようなナノ構造炭素材料に基づく新しいメモリ素子は,本論文で紹介した。可能にする変調可能な可塑性を明らかにしたねじれた二層グラフェンに基づく動的シナプス装置。ゲート制御グラフェン電極抵抗メモリ素子は,調整可能なSET窓を有することが分かった。カーボンナノチューブベースのトランジスタはヒト脳の短期記憶を模倣し提示した。これらのデバイスの特異な記憶特性を示し考察したが,これらはナノ材料ベースエレクトロニクスおよびメモリ素子の両方に対して,新しいインスピレーションを刺激する可能性がある。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 記憶特性 ,  塑性 ,  トランジスタ ,  *記憶素子 ,  ナノ材料 ,  ヒト ,  グラフェン ,  シナプス ,  *ナノ構造 ,  カーボンナノチューブ ,  *炭素材 ,  短期記憶 ,  ゲート制御 ,  二層グラフェン ,  機械的性質 ,  性質

分類 (1件)： 記憶方式  (JC02040V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノ構造 ,  炭素材料 ,  記憶素子