文献

J-GLOBAL ID：201602259795075419   整理番号：16A1364598

パルスレーザ堆積によって調製した調整可能,低損失Ba_0.6Sr_0.4TiO₃/Bi_1.5Mg_1.0Nb_1.5O₇/Ba_0.6Sr_0.4TiO₃多層薄膜

Tunable, low loss Ba0.6Sr0.4TiO3/Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7/Ba0.6Sr0.4TiO3 multilayer thin films prepared by pulsed laser deposition

著者 (7件)： Ma Baogang (Key Laboratory of Photovoltaic Materials of Henan Province and School of Physics and Electronics, Henan University, Kaifeng, People’s Republic of China) ,  Yu Shihui (Key Laboratory of Photovoltaic Materials of Henan Province and School of Physics and Electronics, Henan University, Kaifeng, People’s Republic of China) ,  Chen Shengtian (Key Laboratory of Photovoltaic Materials of Henan Province and School of Physics and Electronics, Henan University, Kaifeng, People’s Republic of China) ,  Zhang Jieling (Key Laboratory of Photovoltaic Materials of Henan Province and School of Physics and Electronics, Henan University, Kaifeng, People’s Republic of China) ,  Huang Xiushi (Key Laboratory of Photovoltaic Materials of Henan Province and School of Physics and Electronics, Henan University, Kaifeng, People’s Republic of China) ,  Liu Qing (Key Laboratory of Photovoltaic Materials of Henan Province and School of Physics and Electronics, Henan University, Kaifeng, People’s Republic of China) ,  Zhang Weifeng (Key Laboratory of Photovoltaic Materials of Henan Province and School of Physics and Electronics, Henan University, Kaifeng, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27  号： 8  ページ： 7947-7952  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ堆積によって,Ba_0.6Sr_0.4TiO₃/Bi_1.5Mg_1.0Nb_1.5O₇/Ba_0.6Sr_0.4TiO₃(BST/BMN/BST)多層薄膜とBa_0.6Sr_0.4TiO₃(BST)薄膜をPt/Ti/SiO₂/Si(100)基板上に作製した。多層薄膜は,0.1MHzの周波数において314の誘電率及び0.006の誘電損失正接を示す。BST/BMN/BST多層薄膜は,357kV/cmの最大印加直流バイアス場において約26.7%の誘電率調整能力を持ち,性能指数は45.5であった。明らかなヒステリシス挙動は,BST/BMN/BST多層薄膜において観察されなかった。BST/BMN/BST多層薄膜は,その優れた誘電率と調整能力及び低い誘電損失正接から,調整可能なマイクロ波デバイスに応用できる大きな可能性を持つ。Copyright 2016 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *多層膜 ,  *酸化物 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  損失 ,  調整 ,  チタン酸塩 ,  バリウム化合物 ,  ストロンチウム化合物 ,  ビスマス化合物 ,  マグネシウム化合物 ,  ニオブ化合物 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  誘電率 ,  誘電損失 ,  周波数依存性 ,  漏れ電流 ,  ヒステリシス ,  誘電分極
準シソーラス用語： パルスレーザ堆積 ,  分極ヒステリシス

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルスレーザ堆積 ,  調製 ,  調整可能 ,  低損失 ,  多層薄膜