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J-GLOBAL ID：201602260447183298   整理番号：16A0990411

65nmバルクCMOS技術における単一事象二重過渡とその井戸構造依存性により誘導される単事象アプセット【Powered by NICT】

Single event upset induced by single event double transient and its well-structure dependency in 65-nm bulk CMOS technology

著者 (3件)： Huang Pengcheng (College of Computer, National University of Defense Technology) ,  Chen Shuming (National University of Defense Technology) ,  Chen Jianjun (College of Computer, National University of Defense Technology)
資料名： Science China. Information Sciences  (Science China. Information Sciences)
巻： 59  号： 4  ページ： 042411-1-042411-8  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2579A  ISSN： 1674-733X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シングルイベントアップセット(SEU)は,航空宇宙応用におけるソフトエラーの最も重要な原因の一つである。技術スケールは持続的にダウンするにつれて,電荷共有は,フリップフロップのSEUにますます大きな影響を果たしている。電荷共有は,フリップフロップのストレージノードと非貯蔵ノードにおけるマルチノード電荷収集をもたらすことができる。本論文では,フリップフロップデータ入力とフリップ-フロップクロック信号におけるマルチノード電荷収集は3D TCAD混合モードシミュレーションにより研究し,シミュレートした結果は,フリップフロップデータ入力とフリップ-フロップクロック信号の単一事象二重過渡(SEDT)もフリップフロップのSEUを引き起こす可能性があることを示した。この新規な機構は,SEDT誘導SEUと呼ばれ,65nm2井戸プロセスにおける重イオン実験により検証した。シミュレーション結果もこの機構は井戸構造と密接に関連していると,3重井戸構造である双子型井戸構造よりもこの機構のSEUしきい値を増強するためより効果的であることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 三次元 ,  重イオン ,  混合モード ,  ソフトエラー ,  シミュレーション ,  同期信号 ,  SEU【シングルイベント】 ,  *双安定回路
準シソーラス用語： TCAD ,  電荷収集 ,  電荷共有 ,  航空宇宙 ,  *構造依存性 ,  *単一事象 ,  *CMOS技術 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シングルイベントアップセット(SEU) ,  単一事象二重過渡(SEDT) ,  SEDT誘起SEU ,  寄生バイポーラ効果(PBE) ,  電荷共有

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (8件)： バルク ,  CMOS技術 ,  単一事象 ,  井戸 ,  構造依存性 ,  誘導 ,  事象 ,  アプセット