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J-GLOBAL ID：201602260491939479   整理番号：16A0829326

Alアシスト光化学エッチングによる水素化シリコンカーバイドSi0.60C0.40膜の表面改質:湿度検知アプリケーション

Surface modification of a-Si0.60C0.40:H films by Al-assisted photochemical etching: humidity sensing application

著者 (7件)： Boukezzata A. (CRTSE, Division Couches Minces, Surfaces et Interfaces, Algiers, Algeria) ,  Keffous A. (CRTSE, Division Couches Minces, Surfaces et Interfaces, Algiers, Algeria) ,  Gabouze N. (CRTSE, Division Couches Minces, Surfaces et Interfaces, Algiers, Algeria) ,  Guerbous L. (Algerian Nuclear Research Center (CRNA), Algiers, Algeria) ,  Ouadjaout D. (CRTSE, Division Couches Minces, Surfaces et Interfaces, Algiers, Algeria) ,  Menari H. (CRTSE, Division Couches Minces, Surfaces et Interfaces, Algiers, Algeria) ,  Kechouane M. (Physical Faculty, Houari Boumediene University, Algiers, Algeria)
資料名： Microsystem Technologies  (Microsystem Technologies)
巻： 22  号： 5  ページ： 935-941  発行年： 2016年05月 
JST資料番号： W2056A  ISSN： 0946-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本文では,λ=254nmのUV照射下でフッ化水素/硝酸銀溶液を用いてAlアシスト光化学エッチングにより,多孔質アモルファスシリコンカーバイド(PASiC)薄膜の形成について調査した。水素化シリコンカーバイド(Si0.60C0.40)薄膜に,2~10分まで変化する異なるエッチング時間を適用した。薄膜は,単結晶Siターゲットを用いた共DCマグネトロンスパッタによって精緻化され,そして12.5mm3のホットプレス多結晶6H-SiCの86のストライプ上に堆積したものである。水素化シリコンカーバイドSi0.60C0.40薄膜の2MΩcmより高い電気抵抗率のため,また化学エッチングを容易にするために,高純度アルミニウム(Al)の薄い金属膜を真空蒸着し,攻撃表面および過液相エッチング防止のためにグリッドの下に,パラジウムのフォローアップ薄膜を堆積した。エッチング表面を,走査型電子顕微鏡法,赤外分光法,紫外可視分光光度計,及びフォトルミネセンスによって特徴付けた。結果より,エッチングされた水素化シリコンカーバイドSi0.60C0.40の表面形態は,エッチング時間で評価し,海綿状およびマクロポーラスの層を示した。ここで,エッチング時間の増加に伴い,細孔径の直径が大きくなった。湿度センサは,PASiC上に共平面交差指形金電極を蒸着して作製し,湿度検知特性を試験した。Au-PASiC構造の測定抵抗は,印加されるバイアス電圧に大きく依存することが分かった。最後に,検知特性は,独特な表面構造,細孔形態とその寸法に起因しており,それは,蒸気輸送のための効果的な経路を提供しAu-PASiCの検知エリアを拡大した。Copyright 2015 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated into Japanese from English by JST.

シソーラス用語： *表面改質 ,  *非晶質半導体 ,  *炭化ケイ素 ,  *水素化 ,  半導体薄膜 ,  *多孔性 ,  *湿度センサ ,  相対湿度 ,  *フォトエッチング ,  フッ化水素 ,  硝酸銀 ,  溶液 ,  紫外線照射 ,  マグネトロンスパッタリング ,  電気抵抗率 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  FTIR分光法 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： 6H-SiC ,  表面形態 ,  光化学エッチング

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  湿度測定,湿度計  (AD06020V)

タイトルに関連する用語 (9件)： Al ,  アシスト ,  光化学 ,  エッチング ,  水素化シリコン ,  カーバイド ,  表面改質 ,  湿度 ,  アプリケーション