文献

J-GLOBAL ID：201602260510349837   整理番号：16A0540369

その場SiN_x中間層によるSiC基板上へ成長したクラックフリーAl_0.5Ga_0.5Nエピ層

Crack-free Al_0.5Ga_0.5N epilayer grown on SiC substrate by in situ SiN _x interlayer

著者 (13件)： Tao Pengcheng (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China) ,  Liang Hongwei (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China) ,  Xia Xiaochuan (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China) ,  Chen Yuanpeng (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China) ,  Yang Chao (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China) ,  Liu Jianxun (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China) ,  Zhu Zhifu (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China) ,  Liu Yang (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China) ,  Shen Rensheng (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China) ,  Luo Yingmin (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China) ,  Zhang Yuantao (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, School of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, People’s Republic of China) ,  Du Guotong (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China) ,  Du Guotong (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, School of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, People’s Republic of China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 41  ページ： 291-296  発行年： 2016年01月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着(MOCVD)によって成長したその場堆積SiN_xナノマスク層を導入することによる6H-SiCウエハ上のAl_0.5Ga_0.5Nエピタキシャル層の結晶品質と応力状態を調べた。種々の成長時間のSiN_x中間層をAl_0.5Ga_0.5Nエピ層に挿入した。X線回折ピークの半値全幅(FWHM)及びエッチピット密度は,SiN_x中間層によって劇的に減少した。このことは結晶品質が改善されたことを示唆する。また,Al_0.5Ga_0.5N膜中のクラック密度と二軸引張応力が,その場SiN_x中間層によって著しく減少することが,光学顕微鏡法,フォトルミネッセンススペクトル及びRamanスペクトルから分かった。最後に,最適化SiN_x中間層成長時間を用いて,6H-SiC基板上に成長したクラックフリー1.8μm厚さAl_0.5Ga_0.5Nエピ層を得た。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *化合物半導体 ,  *エピタクシー ,  *半導体薄膜 ,  窒化ケイ素 ,  炭化ケイ素 ,  亀裂 ,  素子構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  光ルミネセンス ,  Raman分光法 ,  MOCVD ,  X線回折 ,  FWHM ,  引張応力
準シソーラス用語： AlGaN

著者キーワード (4件)： SiC ,  AlGaN ,  SiN _x interlayer ,  Metal organic chemical vapor deposition

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 中間層 ,  SiC基板 ,  成長 ,  クラック ,  エピ層