光カードエッジコネクタを用いた電気的ハイブリッドLSIパッケージ基板上の高分子光導波路の25Gb/s動作【Powered by NICT】

Amano Takeru; Ukita Shigenari; Egashira Yoshiyuki; Sasaki Mikiko; Noriki Akihiro; Mori Masahiko; Kurata Kazuhiko; Sakakibara Yoichi

文献

J-GLOBAL ID：201602261636058314 整理番号：16A0650960

光カードエッジコネクタを用いた電気的ハイブリッドLSIパッケージ基板上の高分子光導波路の25Gb/s動作【Powered by NICT】

25-Gb/s Operation of a Polymer Optical Waveguide on an Electrical Hybrid LSI Package Substrate With Optical Card Edge Connector

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資料名：
巻： 34 号： 12 ページ： 3006-3011 発行年： 2016年
JST資料番号： H0922A ISSN： 0733-8724 CODEN： JLTEDG 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

多モードSiフォトニック送信機と受信機と一体化した高容量高分子ベース光学的および電気的LSIパッケージを提案した。高分子光導波路ミラーと光カードエッジコネクタをもつ高分子系ハイブリッドLSIパッケージ基板の作製と特性を記述した。角でダイシングブレードを用いたSiフォトニック格子結合器のための40°から45°の範囲のいくつかの角度と光学ミラーを作製した。ダイシングミラーは格子結合器の放出角を変化させた。も24チャネルでの過剰損失の1dBのための高分子導波路とMMFの間の大きな横方向のミスアラインメント許容度(±11.5 μm)を実現した。大きな耐性のために1.3μmの光カードエッジコネクタを用いたdBの結合損失を得た。1.3μmでチャネル当たりの25Gb/sの誤りフリー伝送を実現した。もここで結合不整合によって生じるモード雑音に起因する誤差ペナルティとジッタを述べた。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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