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J-GLOBAL ID：201602261667876506   整理番号：16A0636214

アノーディックストリッピングボルタンメトリーを用いた痕跡asenite定量のための高選択的センサ【Powered by NICT】

Highly selective sensor for trace asenite determination using anodic stripping voltammetry

著者 (4件)： Li Wang (Dept. of Precision Instrum., Tsinghua Univ., Beijing, China) ,  Gaoshan Jing (Dept. of Precision Instrum., Tsinghua Univ., Beijing, China) ,  Wenshuai Lu (Dept. of Precision Instrum., Tsinghua Univ., Beijing, China) ,  Tianhong Cui (Dept. of Mech. Eng., Univ. of Minnesota, Minneapolis, MN, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： MEMS  ページ： 901-904  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオノホアの亜ヒ酸塩(As(III))選択的膜は,アノーディックストリッピングボルタンメトリー(ASV)を用いた痕跡量As(III)を決定するためにマイクロ金電極表面上に堆積した。イオノホア膜(「裸センサ」)無しのセンサと比較して,選択的センサの性能は,膜の優れたAs(III)選択透過性により大きく向上した。選択的センサのバックグラウンド電流振幅は1.375μAから0.320μAに減少し,その標準偏差は0.150μAから0.007μAに,高い信号対雑音比(S/N)をもたらした。一方,センサのピーク電流標準偏差は0.218μAから0.015μAに低下した。,低い検出限界(LOD)は1.09ppbの痕跡量のAs(III)を決定することで得られた。簡単であるが高感度選択的センサはオンライン環境モニタリングへの広範な応用につながる可能性がある。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 検出限界 ,  金 ,  標準偏差 ,  *センサ ,  高感度 ,  SN比 ,  イオノホア ,  環境モニタリング ,  亜ヒ酸塩 ,  電流 ,  *アノーディックストリッピングボルタンメトリー
準シソーラス用語： オンライン ,  ピーク電流 ,  透過性 ,  電極表面 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 計測機器一般  (AD02000X)

タイトルに関連する用語 (3件)： アノーディックストリッピングボルタンメトリー ,  痕跡 ,  定量