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J-GLOBAL ID：201602262920890901   整理番号：16A0881067

パルスレーザ蒸着による種々の配向したサファイア基板上のZnOナノワイヤの無触媒成長【Powered by NICT】

Catalyst-free growth of ZnO nanowires on various-oriented sapphire substrates by pulsed-laser deposition

著者 (8件)： Tetsuya Shimogaki (Department of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University) ,  Masahiro Takahashi (Department of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University) ,  Masaaki Yamasaki (Department of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University) ,  Taichi Fukuda (Department of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University) ,  Mitsuhiro Higashihata (Department of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University) ,  Hiroshi Ikenoue (Department of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University) ,  Daisuke Nakamura (Department of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University) ,  Tatsuo Okada (Department of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 2  ページ： 023001-1-023001-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一次元酸化亜鉛(ZnO)ナノワイヤの無触媒成長を報告した。ZnOナノワイヤを,種々の配向したサファイア基板上に堆積したZnOバッファ層上に合成した。ZnOバッファ層とナノワイヤの合成は紫外パルスレーザ蒸着により行った。ZnOナノワイヤの数密度はm-カットサファイア基板を用いた場合に最低であった。aカットサファイア基板上に成長させたZnOナノワイヤは,十~百nmの距離を持つ垂直配向を有していた。一方,cカットサファイア基板上に成長させたZnOナノワイヤは,最大核形成速度を有していた。サファイア基板の配向に及ぼすZnOバッファ層の結晶方位の依存性を電子後方散乱回折測定により調べた。彼らの結果から,ZnOバッファ層の成長モデルを提案し,ZnOナノワイヤの形態学的特性の変化を検討した。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶方位 ,  酸化亜鉛 ,  数密度 ,  *ナノワイヤ ,  触媒 ,  バッファ層 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  一次元 ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： 成長モデル ,  EBSD ,  核形成速度 ,  垂直配向 ,  *酸化亜鉛ナノワイヤ ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 酸化亜鉛 ,  ナノワイヤ ,  無触媒成長 ,  パルスレーザ蒸着

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルスレーザ蒸着 ,  配向 ,  サファイア基板 ,  ZnOナノワイヤ ,  触媒 ,  成長