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J-GLOBAL ID：201602262962494138   整理番号：16A0392822

NBTIモニタ,ジッター低減技術と改善された配電による20nmの9Gb/ピン8GbのGDDR5 DRAM

A 20nm 9Gb/s/pin 8Gb GDDR5 DRAM with an NBTI Monitor, Jitter Reduction Techniques and Improved Power Distribution

著者 (18件)： JOO Hye-Yoon (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  BAE Seung-Jun (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  SOHN Young-Soo (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KIM Young-Sik (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  HA Kyung-Soo (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  AHN Min-Su (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KIM Young-Ju (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KIM Yong-Jun (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KIM Young-Ju (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KIM Ju-Hwan (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  CHOI Won-Jun (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  SHIN Chang-Ho (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KIM Soo Hwan (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KIM Byeong-Cheol (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KO Seung-Bum (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  PARK Kwang-Il (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  JANG Seong-Jin (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  JIN Gyo-Young (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2016  ページ： 314-315,315(1)  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 不安定性 ,  *熱安定性 ,  信頼性 ,  *ジッタ ,  *雑音低減 ,  *電力供給 ,  *DRAM ,  *CMOS構造 ,  半導体プロセス ,  *伝送速度 ,  ECL【IC】 ,  *データ転送 ,  時間測定 ,  信号変換器 ,  半導体チップ
準シソーラス用語： NBTI ,  CML【IC】 ,  時間ディジタル変換器

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： NBTI ,  モニタ ,  ジッター ,  配電 ,  DRAM