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J-GLOBAL ID：201602263012006281   整理番号：16A0835889

In₂O₃(111)上でのプラズマ支援MBE成長によるInNの成長に及ぼす基板窒化の影響

Impact of substrate nitridation on the growth of InN on In₂O₃(111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy

著者 (8件)： Cho YongJin (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Sadofev Sergey (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Fernandez-Garrido Sergio (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Calarco Raffaella (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Riechert Henning (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Galazka Zbigniew (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Uecker Reinhard (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Brandt Oliver (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 369  ページ： 159-162  発行年： 2016年04月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,In₂O₃(111)基板上でのN過剰プラズマ支援MBE成長によるInN薄膜の成長を調べた。In₂O₃(111)上に直接蒸着したInN薄膜は,顕著なファセット形態を示した。成長に先立つ窒化段階は,In₂O₃(111)表面をInN{0001}に変換させることが分かった。そのような窒化In₂O₃(111)基板上に堆積させたInNの形態は,不安定なステップ流による成長に特徴的なものであり,従って,窒化無しに得た三次元成長とは劇的に異なること,を記した。著者らは,この変化が薄膜の極性の相違に起因することを示した。つまり,In₂O₃(111)上に直接堆積したInN薄膜はIn極性を有するのに対し,窒化基板上に成長させた薄膜はN極性を有すること,を記した。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *窒化インジウム ,  基板 ,  酸化インジウム ,  結晶方位 ,  結晶形態 ,  窒化 ,  RHEED ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  極性 ,  ファセット ,  表面構造
準シソーラス用語： プラズマ支援MBE成長

著者キーワード (5件)： InN ,  In₂O₃ ,  MBE ,  Nitridation ,  Polarity

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： プラズマ支援MBE成長 ,  InN ,  成長 ,  窒化