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J-GLOBAL ID：201602263024245849   整理番号：16A0902400

二重障壁構造と低暗電流密度をもつ短波長赤外検出器【Powered by NICT】

Short-wave infrared detector with double barrier structure and low dark current density

著者 (9件)： Dong Yu (Laboratory of Nanotechnology and Microsystems, Mechanical Engineering College) ,  Wang Guanglong (Laboratory of Nanotechnology and Microsystems, Mechanical Engineering College) ,  Ni Haiqiao (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science) ,  Pei Kangming (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science) ,  Qiao Zhongtao (Laboratory of Nanotechnology and Microsystems, Mechanical Engineering College) ,  Chen Jianhui (Laboratory of Nanotechnology and Microsystems, Mechanical Engineering College) ,  Gao Fengqi (Laboratory of Nanotechnology and Microsystems, Mechanical Engineering College) ,  Li Baochen (Laboratory of Nanotechnology and Microsystems, Mechanical Engineering College) ,  Niu Zhichuan (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science)
資料名： Zhongguo Guangxue Kuaibao(Yingwenban)  (Zhongguo Guangxue Kuaibao(Yingwenban))
巻： 14  号： 2  ページ： 022501-1-022501-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2637A  ISSN： 1671-7694  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlAs/In(0.53)Ga(0.47)As/AlAs二重障壁構造(DBS)を組み合わせることで(0.53)Ga(0.47)As吸収層を持つ短波長赤外(SWIR)検出器を,分子ビームエピタクシーにより作製した。p電荷層を追加することにより,検出器の暗電流密度は3桁の大きさで低下した。検出器の応答性は室温で試験し,入射光のパワーが0.7nWである時に6000A/Wに達した。5kHzで検出器の雑音等価電力(NEP)は室温で3.77×10(-14)W/Hz(1/2)であると測定された。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力 ,  *検出器 ,  応答特性 ,  *赤外検出器 ,  MBE成長 ,  雑音 ,  電荷 ,  *暗電流
準シソーラス用語： 入射光 ,  SWIR , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 障壁 ,  暗電流 ,  密度 ,  短波 ,  赤外検出器