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J-GLOBAL ID：201602263058438381   整理番号：16A1265217

トレンチゲートIGBTの電圧依存性容量システム計算【Powered by NICT】

Voltage-dependence capacitance system calculation of trench-gated IGBT

著者 (4件)： Luo Guang-xiao (North China Electric Power University, Beijing, China) ,  Zhang Wei-dong (North China Electric Power University, Beijing, China) ,  Qi Lei (North China Electric Power University, Beijing, China) ,  Zhao Guo-liang (State Grid Smart Grid Research Institute, Beijing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EMC Europe  ページ： 682-685  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 部分容量に基づく計算法は,IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の電位依存性静電容量システムを解析するために提案した。IGBTの静電容量システムは,半導体接合キャパシタおよびMOS(金属-酸化物-半導体)キャパシタでモデル化し,各静電容量は外部バイアス電圧下での接合電圧を解いて求めた。最後に,提案した方法は高電圧IGBTセルの静電容量システムに適用し,CgeとCgcの特性を検討した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体接合 ,  モデリング ,  *電圧依存性 ,  コンデンサ ,  静電容量 ,  酸化物 ,  *IGBT ,  *電圧 ,  半導体
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  電位依存性 ,  *トレンチゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 信号理論  (ND02020G) ,  アンテナ  (ND06000M) ,  通信方式一般  (ND07010E) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (4件)： トレンチゲート ,  IGBT ,  電圧依存性 ,  計算