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J-GLOBAL ID：201602264292536634   整理番号：16A0817883

ドレインフィールドプレートとフローティング電極板を有する・Schottkyドレイン・AlGaN/GaN HEMTにおける逆ブロッキング特性とメカニズム【Powered by NICT】

Reverse blocking characteristics and mechanisms in Schottky-drain AlGaN/GaN HEMT with a drain field plate and floating field plates

著者 (7件)： Mao Wei (School of Microelectronics, Xidian University) ,  She Weibo (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Yang Cui (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Xidian University) ,  Zhang Jinfeng (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zheng Xuefeng (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Wang Chong (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Hao Yue (School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 1  ページ： 017303-1-017303-6  発行年： 2016年01月 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Schottkyドレインをもつ新しいAlGaN/GaN HEMTと化合物フィールドプレート(SD-CFP HEMT)は優れた逆阻止能力の目的のために提示した。化合物フィールドプレート(CFP)は,ドレインフィールドプレート(DFP)といくつかの浮遊場板(FFP)から構成されている。逆絶縁破壊電圧を改善し,チャネル電場と電位の分布を調節するCFPの物理的機構はSilvaco ATLASを用いた二次元数値シミュレーションにより研究した。Schottkyドレイン(SD HEMT)とSchottkyドレインとDFPを有するHEMT(SD-FP HEMT)を有するHEMTと比較して,SD CFP HEMTの優位性は,FFPの数を増加させることにより,逆破壊電圧の継続的改善とSDFP HEMTと同じ作製手順である。SD CFP EMTのための二つの有用な最適化則をシミュレーション結果から抽出した。FFPと逆破壊電圧の数と同様にSD CFP EMTにおけるFP効率の間の関係を検討した。本論文の結果は,AlGaN/GaN HEMTにおける逆ブロッキング能力を強化するためのCFPの大きな可能性を示し,設計において大きな価値及び意義とSD CFP EMTの実際の製造である。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元 ,  シミュレーション ,  電場 ,  *HEMT ,  浮遊 ,  *ブロッキング ,  最適化 ,  チャネル
準シソーラス用語： 連続的改善 ,  数値シミュレーション ,  ATLAS ,  絶縁破壊電圧 ,  *フィールドプレート ,  *AlGaN/GaN ,  浮遊電極 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlGaN/GaN HEMT ,  ドレインフィールドプレート ,  浮遊フィールドプレート ,  逆破壊電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電極板 ,  ドレイン ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  ブロッキング ,  メカニズム