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J-GLOBAL ID：201602264302512773   整理番号：16A1098528

フレキシブルエレクトロニクス応用のための低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性【Powered by NICT】

Reliability of low-temperature polysilicon thin-film transistors for flexible electronics application

著者 (4件)： Xu Siwei (Department of Microelectronics, Soochow Univ., Suzhou 215006, China) ,  Sun Zhipeng (Department of Microelectronics, Soochow Univ., Suzhou 215006, China) ,  Zhang Dongli (Department of Microelectronics, Soochow Univ., Suzhou 215006, China) ,  Wang Mingxiang (Department of Microelectronics, Soochow Univ., Suzhou 215006, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： INEC  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常またはフレキシブルディスプレイ技術から作製したpチャネル低温ポリシリコン(LTPS)薄膜トランジスタ(TFT)の電気的信頼性は正または負のゲートバイアスストレス(PBS/NBS)で比較した。従来TFTはフレキシブルTFTより良好な初期特性,PBSで良好な安定性を持ち,フレキシブルTFTは,NBS下で良好な安定性を示した。フレキシブルTFTの機械的信頼性は繰返し曲げと伸びのある応力下で研究した。はそれらの分解挙動は類似していることが判明し,TFTのしきい値電圧,サブしきい値領域の大きな変化無しに正側にシフトした。分解は,チャネル/ゲート酸化膜界面での機械的応力誘起負電荷捕獲に起因していた。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *信頼性 ,  チャネル ,  伸び ,  界面 ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  機械的ストレス ,  ゲート酸化膜 ,  サブ閾値 ,  閾値電圧 ,  フレキシブルディスプレイ ,  *フレキシブルエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 信号理論  (ND02020G) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (4件)： フレキシブルエレクトロニクス ,  応用 ,  低温ポリシリコン ,  薄膜トランジスタ