文献

J-GLOBAL ID：201602264310208355   整理番号：16A1285916

温度と注入依存光ルミネセンスイメージングを用いたスワール欠陥研究【Powered by NICT】

Swirl defect investigation using temperature- and injection-dependent photoluminescence imaging

著者 (11件)： Youssef Amanda (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts, 02139, USA) ,  Schon Jonas (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems, Heidenhofstras&e 2, D-79110 Freiburg, Germany) ,  Niewelt Tim (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems, Heidenhofstras&e 2, D-79110 Freiburg, Germany) ,  Mack Sebastian (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems, Heidenhofstras&e 2, D-79110 Freiburg, Germany) ,  Park Sungeun (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems, Heidenhofstras&e 2, D-79110 Freiburg, Germany) ,  Nakajima Kazuo (FUTURE-PV Innovation, Koriyama, Fukushima 963-0215, Japan) ,  Morishita Kohei (Kyoto University, Yoshida-Honmachi, Sakyo-Ku, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Murai Ryota (FUTURE-PV Innovation, Koriyama, Fukushima 963-0215, Japan) ,  Jensen Mallory A. (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts, 02139, USA) ,  Buonassisi Tonio (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts, 02139, USA) ,  Schubert Martin C. (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems, Heidenhofstras&e 2, D-79110 Freiburg, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： PVSC  ページ： 1303-1307  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スワール欠陥はn型Czochralski(Cz)と非接触坩堝(NOC)Siウエハで観察された。結晶成長および/または成長後高温プロセス中の酸素析出の結果,特に800°Cの1000~°Cの範囲で温度を含むプロセスであると仮定されているこの欠陥はデバイス性能を低下させる低寿命環状領域によって特徴づけられる。スワール欠陥を特性化するために温度と注入依存光ルミネセンスイメージング(TIDPLI)に基づく手法を採用した。渦が同じ欠陥によって引き起こされるかどうかを判定するために両方のCzとNOC Siウエハで観測された旋回パターンの原因である欠陥の計算したフィンガープリントを比較した。n型CzとNOC Si中のスワール欠陥の有意に異なる欠陥フィンガープリントを見出した。Cz-Si欠陥のShockley-Read-Hall(SRH)記述を意図的に成長させた酸素析出物のSRH記述からは異なるが,NOC Si欠陥のSRHパラメータは有意に異なっていた。限界欠陥の同定,その消滅のための方法を提案することを可能にした。を成功裏に急速熱アニーリング処理を適用したCz-Si試料中のスワール欠陥を溶解し,寿命を均質化する。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 指紋 ,  均質化 ,  酸素 ,  *画像処理 ,  ケイ素 ,  *旋回流 ,  析出物 ,  キャラクタリゼーション ,  坩堝 ,  RTA【熱処理】 ,  高温 ,  *光ルミネセンス
準シソーラス用語： 環状 ,  シリコンウエハ ,  非接触 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： データ保護  (JD01020V) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 注入 ,  光ルミネセンス ,  イメージング ,  スワール ,  欠陥 ,  研究